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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115047707A(43)申请公布日2022.09.13(21)申请号202110254872.0(22)申请日2021.03.09(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人王良张迎春(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327专利代理师高静(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)权利要求书2页说明书13页附图9页(54)发明名称光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质(57)摘要一种光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,光学邻近矫正方法包括:提供设计图形,包括多个主图形,至少部分相邻的所述主图形之间形成有凹拐角;基于设计规则和掩膜版写入规则,在与所述凹拐角的顶点对应的主图形中生成拐角附加图形;基于目标图形,对所述设计图形进行光学邻近效应修正,获得修正后图形;对所述修正后图形进行光刻模拟,判断所述修正后图形中各凹拐角处对应的边缘放置误差是否满足预设标准;当凹拐角处对应的边缘放置误差不满足预设标准时,对所述修正后图形进行修剪处理,用于从所述修正后图形中修剪去除与所述凹拐角对应的拐角附加图形。本发明实施例有利于减小凹拐角处的边缘放置误差。CN115047707ACN115047707A权利要求书1/2页1.一种光学邻近矫正方法,其特征在于,包括:提供设计图形,包括多个主图形,至少部分相邻的所述主图形之间形成有凹拐角;基于设计规则和掩膜版写入规则,在与所述凹拐角的顶点对应的主图形中生成拐角附加图形;基于目标图形,对所述设计图形进行光学邻近效应修正,获得修正后图形;对所述修正后图形进行光刻模拟,判断所述修正后图形中各凹拐角处对应的边缘放置误差是否满足预设标准;当凹拐角处对应的边缘放置误差不满足预设标准时,对所述修正后图形进行修剪处理,用于从所述修正后图形中修剪去除与所述凹拐角对应的拐角附加图形。2.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述光学邻近矫正方法还包括:在提供设计图形后,在与凹拐角的顶点对应的主图形中生成拐角附加图形、以及在对所述设计图形进行光学邻近效应修正之前,对所述设计图形进行刻蚀偏差补偿,进行刻蚀偏差补偿后的所述设计图形用于作为所述目标图形。3.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述光学邻近矫正方法还包括:当所述凹拐角处对应的边缘放置误差满足预设标准时,对所述修正后图形进行光学邻近效应验证;或者,当所述凹拐角处对应的边缘放置误差不满足预设标准时,在对所述修正后图形进行修剪处理后,对进行修剪处理后的所述修正后图形进行光学邻近效应验证。4.如权利要求2所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述光学邻近矫正方法还包括:在对所述设计图形进行刻蚀偏差补偿处理之后,进行所述光学邻近效应修正处理之前,在所述主图形周围提供辅助图形。5.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述拐角附加图形为矩形图形。6.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述设计图形用于形成切割层图形,所述切割层图形用于沿第一方向切断待切割层,所述待切割层沿第一方向延伸,且沿第二方向间隔排列,所述第一方向与第二方向相垂直。7.如权利要求6所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述主图形为矩形图形,所述主图形包括相交且交点为所述凹拐角顶点的第一边和第二边,所述第一边沿所述第一方向,所述第二边沿所述第二方向;在生成所述拐角附加图形的步骤中,沿所述第一方向,所述拐角附加图形的几何中心至所述第二边的距离为第一距离,所述第一距离大于或等于掩膜版写入规则的最小线宽;沿所述第二方向,所述拐角附加图形的几何中心至所述第一边的距离为第二距离,所述第二距离大于或等于所述第一边至相邻待切割层的距离,并且小于或等于沿第二方向所述第一边至相邻待切割层的距离,与所述待切割层的节距之和。8.如权利要求7所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述主图形还包括与所述第二边平行的第三边;在生成所述拐角附加图形的步骤中,沿所述第一方向,所述几何中心至所述第三边的距离大于或等于所述掩膜版写入规则的最小线宽。9.如权利要求6所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,所述待切割层为鳍部、栅极或金属线。10.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法,其特征在于,生成所述拐角附加图形的步2CN115047707A权利要求书2/2页骤中,所述拐角附加图形的线宽大于或等于掩膜版写入规则的最小线宽,且小于或等于光刻工艺的分辨率。11.一种光学邻近矫正系统,其特征在于,包括:提供单元,用于提供设计图形,包括多个主图形,至少部分相邻的主图形之