微波器件及其制造方法.pdf
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相关资料
微波器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种微波器件及其制造方法,该微波器件中铝制腔体的缺口的内表面具有金属镀层,金属镀层是金、银、铜、锡、锌中的一种或者几种的合金;金属镀层中铁磁性金属含量不超过3%;缺口的内表面和同轴连接器的凸起的外表面之间的触点不包括绝缘物或铁磁性金属;触点的接触压力在1~500牛顿。本公开实施例中的微波器件将3G移动通信系统室内覆盖的瓶颈——无源器件的无源互调指标改善了至少3dB,并保持长期稳定。
器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法.pdf
本发明提供了一种器件芯片,该器件芯片包括:衬底结构,该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构,每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料;至少一个器件单元,该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上。相应地,本发明还提供了一种器件芯片的制造方法、以及基于该器件芯片所形成的封装结构及其制造方法。本发明有利于提高封装结构的散热性能。
CMOS器件及其制造方法.pdf
本发明提供了一种CMOS器件及其制造方法,应用于半导体技术领域。在本发明提供的CMOS器件的制造方法中,并不需要像现有技术那样为了避免位于NMOS区和PMOS区之间的预留边界区(NP)出现doubleetch的情况,而加宽预留边界区(NP),本发明提供的制造方法允许预留边界区(NP)有一定宽度的doubleEtch,即形成所述开口,然后,在通过填充第二保护层的方式,将在形成源/漏区过程中导致的预留边界区(NP)引起的doubleEtch产生的开口填平,进而避免了doubleEtch产生的开口增大后
闪存器件及其制造方法.pdf
本发明提供一种闪存器件及其制造方法,提供衬底,衬底上形成有第一、二存储单元结构,第一、二存储单元结构控制栅多晶硅层、硬掩膜层的侧壁上,形成有第一、二层间介质层,两相近一侧的第二层间介质层、浮栅多晶硅层上均形成有隧穿氧化层,隧穿氧化层上形成有字线多晶硅;研磨字线多晶硅至控制栅多晶硅的上方;刻蚀去除第一、二存储单元结构的两侧部分结构;刻蚀去除剩余的硬掩膜层,使得其下方的字线多晶硅、控制栅多晶硅层裸露;在裸露的字线多晶硅、控制栅多晶硅上均形成金属硅化物。本发明通过研磨将存储单元结构高度做低,通刻蚀去除控制栅上残
声波器件及其制造方法.pdf
本申请提供声波器件及其制造方法,其中,声波器件包括多个体声波谐振结构,每个体声波谐振结构,包括:衬底;依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;多个凸块,均位于所述压电层上且围绕所述第二电极层周向布置;所述凸块与所述第二电极层具有预设距离,所述预设距离取决于所述体声波谐振结构与其它体声波谐振结构的连接方式。