声波器件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115913162A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211471651.XH03H3/02(2006.01)(22)申请日2022.11.23(71)申请人武汉衍熙微器件有限公司地址430205湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区藏龙大道19号凡谷电子研发中心研发楼（2号楼）(72)发明人董雨轩廖珮淳林瑞钦(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师高天华蒋雅洁(51)Int.Cl.H03H9/02(2006.01)H03H9/05(2006.01)H03H9/56(2006.01)H03H9/58(2006.01)权利要求书3页说明书14页附图26页(54)发明名称声波器件及其制造方法(57)摘要本申请提供声波器件及其制造方法，其中，声波器件包括多个体声波谐振结构，每个体声波谐振结构，包括：衬底；依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；多个凸块，均位于所述压电层上且围绕所述第二电极层周向布置；所述凸块与所述第二电极层具有预设距离，所述预设距离取决于所述体声波谐振结构与其它体声波谐振结构的连接方式。CN115913162ACN115913162A权利要求书1/3页1.一种声波器件，其特征在于，包括：多个体声波谐振结构，每个体声波谐振结构包括：衬底；依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；多个凸块，均位于所述压电层上且围绕所述第二电极层周向布置；所述凸块与所述第二电极层具有预设距离，所述预设距离取决于所述体声波谐振结构与其它体声波谐振结构的连接方式。2.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，当所述体声波谐振结构通过串联的方式连接入所述声波器件的支路时，所述预设距离小于或等于第一距离；当所述体声波谐振结构通过并联的方式连接入所述声波器件的支路时，所述预设距离大于所述第一距离。3.根据权利要求2所述的声波器件，其特征在于，所述第一距离的范围为大于等于零，且小于压电层的外轮廓与第二电极层外轮廓之间的间距。4.根据权利要求3所述的声波器件，其特征在于，所述第一距离为4μm。5.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述多个凸块与所述第二电极层之间的距离相同或不同。6.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述凸块沿第一方向的尺寸范围为：0.5μm～4μm，所述凸块沿第二方向的尺寸范围为：10μm～40μm，所述凸块沿第三方向的尺寸范围为0.1μm～1μm；所述第一方向包括由所述第二电极层的边缘指向所述第二电极层的中部的方向；所述第二方向与所述第一方向相交且均平行于所述衬底表面，所述第三方向垂直于所述衬底平面。7.根据权利要求6所述的声波器件，其特征在于，所述凸块沿所述第一方向的尺寸为2μm，所述凸块沿所述第二方向的尺寸为10μm，所述凸块沿所述第三方向的尺寸为0.5μm。8.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述第二电极层的外轮廓包括封闭的形状；所述封闭的形状包括一条曲线及两条或两条以上的直线。9.根据权利要求8所述的声波器件，其特征在于，所述封闭的形状包括一条曲线和等长的两条直线，所述两条直线的夹角范围为：0度～180度；所述曲线与所述两条直线交点的最大距离为L1，所述直线的长度为L2；其中，所述L2与(L1‑L2)的比值的范围为1:0.1～1:6。10.根据权利要求9所述的声波器件，其特征在于，所述L2与(L1‑L2)的比值1:3，所述两条直线的夹角范围为：45度～135度。11.根据权利要求8所述的声波器件，其特征在于，所述封闭的形状包括一条曲线、第一直线、第二直线和第三直线，其中，所述第一直线、所述第二直线均分别连接所述曲线的一端和所述第三直线的一端，且所述第一直线、所述第二直线与所述第三直线的夹角为90度；所述曲线与所述第三直线的最大距离为L3，所述第一直线、所述第二直线的长度为L4；其中，所述(L3‑L4)与L4的比值的范围为0.36:1～4.5:1。12.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述体声波谐振结构还包括：第一电极引线，与所述第一电极层连接，位于有源区外部；第一导电增厚层，位于所述第一电极引线与所述压电层之间；第二电极引线，与所述第二电极层连接，位于所述有源区外区；2CN115913162A权利要求书2/3页第二导电增厚层，覆盖所述第二电极引线。13.根据权利要求12所述的声波器件，其特征在于，所述第一导电增厚层的形状与所述第一电极引线的形状相同；和/或，所述第二导电增厚层的形状与所述第二电极引线的形状相同。14.根据权利要求12所述的声波器件，其特征在于，第一导电增厚层的材料与所述第一电极引线的材料相同或不同；和/或，所述第二导电