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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113922783A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202111157046.0(22)申请日2021.09.30(71)申请人电子科技大学地址611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号(72)发明人钟慧刘旻俊霍振选刘湉隽李天年王华磊(74)专利代理机构成都智言知识产权代理有限公司51282代理人李勇(51)Int.Cl.H03H9/05(2006.01)H03H9/10(2006.01)H03H9/64(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种声表面滤波器的封装结构(57)摘要本发明公开了一种声表面滤波器的封装结构,解决了传统技术中气密性无法达到封装要求、工艺难度较高,工序复杂的问题,其包括基板,所述基板的顶部设置有叉指换能器与叉指电极,所述基板的顶部固定设置有光刻胶侧壁,所述光刻胶侧壁的顶部固定设置有盖帽层,所述光刻胶侧壁与所述盖帽层形成空腔,所述叉指换能器、叉指电极置于所述空腔内部,实现了简化声表滤波器的封装流程,降低成本,同时保证封装的气密性的技术效果。CN113922783ACN113922783A权利要求书1/1页1.一种声表面滤波器的封装结构,包括基板(1),所述基板(1)的顶部设置有叉指换能器(3)与叉指电极(2),其特征在于,所述基板(1)的顶部固定设置有光刻胶侧壁(4),所述光刻胶侧壁(4)的顶部固定设置有盖帽层(5),所述光刻胶侧壁(4)与所述盖帽层(5)形成空腔,所述叉指换能器(3)、叉指电极(2)置于所述空腔内部。2.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述光刻胶侧壁(4)的材质为PI胶。3.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述盖帽层(5)的材质为陶瓷。4.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述盖帽层(5)与所述光刻胶侧壁(4)的固定方式为键合。5.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述PI胶的涂覆高度为150μm‑300μm。6.根据权利要求2所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述PI胶的固化温度为130℃‑160℃。7.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述盖帽层(5)的热膨胀系数为2*10‑6/℃~20*10‑6/℃。8.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述基板(1)的材质为42°切的钽酸锂。9.根据权利要求1所述的一种声表面滤波器的封装结构,其特征在于,所述基板(1)的底部设置有通孔,所述通孔用于叉指电极(2)与外部引线连接。2CN113922783A说明书1/3页一种声表面滤波器的封装结构技术领域[0001]本发明属于电子元件封装领域,具体涉及一种声表面滤波器的封装结构。背景技术[0002]声表滤波器是利用石英、铌酸锂、钛酸钡晶体,具有压电效应的资料做成的。当晶体遭到机械作用时,发生与压力成正比的电场的现象。具有压电效应的晶体,在遭到电信号的作用时,也会发生弹性形变而宣布机械波(声波),即可把电信号转为声信号。而这种只在晶体外表传播的声波被称为声外表波,声表滤波器有输入叉指换能器和输出叉指换能器。当输入叉指换能器接上交流电压信号时,压电晶体基片的外表就发生振荡,并激宣布与外加信号同频率的声波,此声波主要没着基片的外表的与叉指电极升起的方向传播,其间一个方向的声波被除数吸声资料吸收,别一方向的声波则传送到输出叉指换能器,被转换为电信号输出。[0003]信息化时代不断推进,通信技术逐渐向高频发展。更高频率被使用的同时,更多的频段的使用需求也逐渐增大,这就要求更精细的频段划分,也就需要更多的滤波器。小尺寸、高Q值、较小的插入损耗、高声电耦合系数在市场上的需求很大;而声表面波滤波器作为滤波器的主流,其典型声波波长比相同频率的电磁波波长小五个数量级,使得微米级的滤波器成为可能,而物联网和人工智能时代的到来,也加速了市场对于高性能SAW的需求。[0004]然而SAW的封装工艺和一般的IC电路不一样,用于封装的黑胶若是覆盖叉指换能器的空隙,就会大大损害声表面驻波的形成,使得成品性能很低。因此目前的封装工艺中,都是在SAW通过倒装工艺后,叉指电极会与PCB接触,在最外层电极的四周加上一层弯曲的保护膜,然而这种封装的缺点十分明显,例如保护膜材料与叉指电极的粘合度不是很好,造成电极空腔的气密性不好;添加保护膜需要额外增加一道工序,且材料贵、成本很高。[0005]由此可见,找到一种耐腐蚀、耐高温、气密性良好的封装方法,会极大提高产品的成品率并一定程度上改良产品性能,这也是当前工艺上急需解决的问题。[0006]