声表面滤波器的晶圆封装结构和制作工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107658380A(43)申请公布日2018.02.02(21)申请号201711019212.4(22)申请日2017.10.27(71)申请人无锡吉迈微电子有限公司地址214116江苏省无锡市锡山区泾虹路58号联东产业园45号(72)发明人姜峰(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104代理人曹祖良屠志力(51)Int.Cl.H01L41/053(2006.01)H01L41/23(2013.01)权利要求书2页说明书3页附图2页(54)发明名称声表面滤波器的晶圆封装结构和制作工艺(57)摘要本发明提供一种声表面滤波器的晶圆封装结构，包括基体，基体的正面设有绝缘层，基体正面的绝缘层上沉积有压电材料；在压电材料上制作有输入输出端口；输入输出端口被基体正面设置的粘胶包覆；盖板键合至基体正面，盖板压在粘胶之上；盖板与基体正面的压电材料之间形成空腔；基体的背面形成有斜坡，且形成通到输入输出端口的盲孔；在盲孔侧壁、斜坡上和基体背面沉积有绝缘层和种子层；在种子层上电镀有金属线路，金属线路连接基体正面的输入输出端口，并通过斜坡延伸至基体背面；在基体背面的背面钝化层上形成开口，开口处制作与金属线路连接的封装电连接单元。本发明可减小成本，以及降低制作时的工艺难度。CN107658380ACN107658380A权利要求书1/2页1.一种声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供晶圆作为基体(1)，先在基体(1)正面沉积绝缘层(2)，然后在基体(1)正面的绝缘层(2)上沉积压电材料(3)；接着在压电材料(3)上制作输入输出端口(4)；步骤S2，在基体(1)正面采用粘胶(5)将输入输出端口(4)覆盖，各处的粘胶(5)厚度一致；将盖板(6)键合至基体(1)正面，盖板(6)压在粘胶(5)之上；盖板(6)与基体(1)正面的压电材料(3)之间形成空腔(7)；然后将基体(1)减薄到所需厚度；步骤S3，在基体(1)背面输入输出端口(4)的下方刻蚀斜坡(8)，形成漏斗形开口(801)；步骤S4，通过所述漏斗形开口(801)，对基体(1)正面的绝缘层(2)和压电材料(3)进行刻蚀，形成通到输入输出端口(4)的盲孔(9)；步骤S5，先在盲孔(9)侧壁、斜坡(8)上和基体(1)背面沉积绝缘层(2)和种子层，然后电镀金属线路(10)；金属线路(10)连接基体(1)正面的输入输出端口(4)，并通过斜坡(8)延伸至基体(1)背面；然后在盲孔(9)中、斜坡(8)上和基体(1)背面制作覆盖金属线路(10)的背面钝化层(11)；并在基体(1)背面的背面钝化层(11)上形成开口，开口处制作与金属线路(10)连接的封装电连接单元(12)。2.如权利要求1所述的声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，步骤S1中，输入输出端口(4)采用电镀、或溅射、或印刷工艺制作，材料为金属。3.如权利要求1所述的声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，盖板(6)材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属材料。4.如权利要求1所述的声表面滤波器的晶圆封装结构的制作工艺，其特征在于，步骤S5之后还包括：步骤S6，最后将晶圆基体切割成单个声表面滤波器；切割时，保持输入输出端口(4)外侧的边缘被粘胶(5)覆盖。5.一种声表面滤波器的晶圆封装结构，包括基体1，其特征在于，基体(1)的正面设有绝缘层(2)，基体(1)正面的绝缘层(2)上沉积有压电材料(3)；在压电材料(3)上制作有输入输出端口(4)；输入输出端口(4)被基体(1)正面设置的粘胶(5)包覆；盖板(6)键合至基体(1)正面，盖板(6)压在粘胶(5)之上；盖板(6)与基体(1)正面的压电材料(3)之间形成空腔(7)；基体(1)的背面形成有斜坡(8)，且形成通到输入输出端口(4)的盲孔(9)；在盲孔(9)侧壁、斜坡(8)上和基体(1)背面沉积有绝缘层(2)和种子层；在种子层上电镀有金属线路(10)，金属线路(10)连接基体(1)正面的输入输出端口(4)，并通过斜坡(8)延伸至基体(1)背面；在盲孔(9)中、斜坡(8)上和基体(1)背面制作有覆盖金属线路(10)的背面钝化层(11)；并在基体(1)背面的背面钝化层(11)上形成开口，开口处制作与金属线路(10)连接的封装电连接单元(12)。6.如权利要求5所述的声表面滤波器的晶圆封装结构，其特征在于，各处的粘胶(5)厚度一致。2CN107658380A权利要求书2/2页7.如权利要求5所述的声表面滤波器的晶圆封装结构，其特征在于，盖板(6)材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属材料。8.如权利要求5所述的声表面滤波器的晶圆封装结构，其特征在于，封装电连接单元(12)采用焊