一种空腔滤波器的封装结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114499433A(43)申请公布日2022.05.13(21)申请号202210022030.7(22)申请日2022.01.10(71)申请人厦门云天半导体科技有限公司地址361000福建省厦门市海沧区中沧工业园坪埕中路28号302单元(72)发明人肖静波姜峰于大全(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204专利代理师连耀忠(51)Int.Cl.H03H3/08(2006.01)H03H9/64(2006.01)H03H9/10(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种空腔滤波器的封装结构及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种空腔滤波器的封装结构及其制作方法，该封装结构包括滤波器芯片、盖帽层和密封结构，密封结构在所述滤波器芯片的非谐振区上形成闭合环形，在滤波器芯片的芯片焊盘上方设置有凸点，芯片焊盘设置在闭合环形的内部或者外部，盖帽层包括强化结构层以及分别嵌入在强化结构层中间隔设置的环状金属结构和块状金属结构，盖帽层与滤波器芯片之间通过对位结构将密封结构和凸点分别与环状金属结构和块状金属结构对位键合并在谐振区上方形成空腔，在盖帽层上远离空腔一侧的表面上设有金属引出端。通过对位结构可以实现对位，可有效改善芯片偏移、晶圆翘曲以及空腔的局限性，实现超薄封装，具备更优异性能的同时节省成本。CN114499433ACN114499433A权利要求书1/2页1.一种空腔滤波器的封装结构，其特征在于：包括：滤波器芯片，所述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述非谐振区上设有芯片焊盘，所述芯片焊盘上设有凸点；密封结构，所述密封结构在所述滤波器芯片的非谐振区上形成闭合环形，所述芯片焊盘位于所述闭合环形的内部或者外部；盖帽层，所述盖帽层包括强化结构强化结构层以及嵌入在所述强化结构强化结构层中间隔设置的环形金属结构和若干块状金属结构，所述环形金属结构和块状金属结构与所述强化结构强化结构层的表面平齐；对位结构，设置在所述盖帽层上朝向所述滤波器芯片的表面，通过所述对位结构将所述滤波器芯片上的所述密封结构和凸点分别与所述环形金属结构和块状金属结构对位键合并在所述谐振区上方形成空腔；金属引出端，设置在所述盖帽层上远离所述空腔一侧的表面。2.根据权利要求1所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述对位结构包括围挡层及在所述围挡层上的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔分别与所述环形金属结构和块状金属结构的位置相对应。3.根据权利要求2所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述围挡层的材料为光刻胶或干膜，所述围挡层的厚度范围为10‑40um。4.根据权利要求2所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述围挡层上设有裸露出所述盖帽层的第三通孔，所述空腔设置在经所述第三通孔裸露出的盖帽层和所述滤波器芯片之间。5.根据权利要求1所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述块状金属结构在所述滤波器芯片上的投影区域位于所述非谐振区。6.根据权利要求1所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述强化结构层为绝缘材料，所述盖帽层的厚度为20‑50um。7.根据权利要求1所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述密封结构和所述凸点的材料为金属柱或者锡球，所述密封结构与所述凸点的厚度为5‑60um。8.根据权利要求1所述的空腔滤波器的封装结构，其特征在于：所述金属引出端为焊盘或焊球，所述盖帽层上方还设有覆盖在所述焊球周围的保护层。9.一种基于权利要求1‑8中任一项所述的空腔滤波器的封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供滤波器晶圆，所述滤波器晶圆上设有滤波器芯片，所述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述非谐振区上设有芯片焊盘，在所述芯片焊盘上制作凸点，所述密封结构在所述滤波器芯片上的非谐振区上形成闭合环形，所述芯片焊盘位于所述闭合环形的内部或者外部，将所述滤波器晶圆进行切割，得到单个具有所述凸点和密封结构的滤波器芯片；2)提供载板晶圆，所述载板晶圆表面覆盖有粘合层，在所述粘合层上方制作盖帽层，所述盖帽层包括强化结构层以及嵌入在所述强化结构层中间隔设置的环形金属结构和若干块状金属结构，所述环形金属结构和块状金属结构与所述强化结构层的表面平齐，并在所述盖帽层的表面制作对位结构；2CN114499433A权利要求书2/2页3)通过所述对位结构将所述滤波器芯片上的所述密封结构和凸点分别与所述环形金属结构和块状金属结构进行对位键合以在所述谐振区上方形成空腔；4)移除所述粘合层和所述载板晶圆，在所述盖帽层上方制作金属引出端。10.根据权利要求9所述的空腔滤波器的封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤2中在所述盖帽层