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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106505967A(43)申请公布日2017.03.15(21)申请号201610975480.2(22)申请日2016.11.07(71)申请人无锡吉迈微电子有限公司地址214116江苏省无锡市锡山区泾虹路58号联东产业园45号(72)发明人姜峰薛恺(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104代理人曹祖良屠志力(51)Int.Cl.H03H9/25(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称SAW滤波器的封装结构及其制作方法(57)摘要本发明提供一种SAW滤波器的封装结构,包括基体,在基体中设有连通基体正面和背面的通孔,在基体正面表面、背面表面,以及通孔侧壁覆盖有绝缘层;在基体正面的绝缘层上覆盖压电材料;在基体正面和背面对应通孔的部位分别设有正面引出电极和背面引出电极;正面引出电极和背面引出电极通过通孔内的金属导电结构连接;正面引出电极位于压电材料表面,背面引出电极位于基体背面的绝缘层表面;正面引出电极以及正面引出电极外侧的SAW滤波器边缘被粘胶覆盖;盖板压在粘胶之上;盖板与基体正面的压电材料之间具有空腔;空腔中的压电材料表面设有换能器电极;在背面钝化层上对应背面引出电极的部分位置开口制作焊球引出电极;该封装结构成本低、可靠性高。CN106505967ACN106505967A权利要求书1/2页1.一种SAW滤波器的封装结构,包括基体(1),其特征在于,在基体(1)中设有连通基体正面和背面的通孔(2),在基体(1)正面表面、背面表面,以及通孔(2)侧壁覆盖有绝缘层(3);在基体(1)正面的绝缘层(3)上覆盖一层压电材料(4);在基体(1)的正面和背面对应通孔(2)的部位分别设有正面引出电极(51)和背面引出电极(6);正面引出电极(51)和背面引出电极(6)通过通孔(2)内的金属导电结构(7)连接;正面引出电极(51)位于压电材料(4)表面,背面引出电极(6)位于基体背面的绝缘层表面;正面引出电极(51)以及正面引出电极(51)外侧的SAW滤波器边缘被粘胶(8)覆盖;盖板(9)压在粘胶(8)之上;盖板(9)与基体正面的压电材料(4)之间具有空腔(10);空腔(10)中的压电材料(4)表面设有换能器电极(52);各换能器电极(52)与其同一侧的正面引出电极(51)电连接;基体(1)背面的绝缘层表面还覆盖一背面钝化层(11),背面钝化层(11)覆盖背面引出电极(6);在背面钝化层(11)上对应背面引出电极(6)的部分位置开口,制作焊球(12)引出电极。2.如权利要求1所述的SAW滤波器的封装结构,其特征在于,金属导电结构(7)为通孔(2)内填充的实心金属柱。3.如权利要求1所述的SAW滤波器的封装结构,其特征在于,金属导电结构(7)为通孔(2)侧壁上的空心金属柱。4.如权利要求1所述的SAW滤波器的封装结构,其特征在于,盖板(9)材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属材料。5.如权利要求1所述的SAW滤波器的封装结构,其特征在于,金属导电结构(7)材料为铜,镍,锡,银或金属合金。6.如权利要求1所述的SAW滤波器的封装结构,其特征在于,换能器电极(52)为叉指电极。7.一种SAW滤波器的封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,提供晶圆作为基体(1),先在基体(1)正面沉积绝缘层(3),然后在基体(1)正面的绝缘层(3)上沉积压电材料(4);接着在压电材料(4)上制作正面引出电极(51)和换能器电极(52);步骤S2,然后采用粘胶(8)将正面引出电极(51)覆盖,各处的粘胶(8)厚度一致;粘胶(8)需延伸至正面引出电极(51)外侧的SAW滤波器区域边缘;将盖板(9)键合至基体(1)正面,盖板(9)压在粘胶(8)之上;盖板(9)与基体(1)正面的压电材料(4)之间形成空腔(10);换能器电极(52)位于空腔(10)中的压电材料(4)表面;将基体(1)从背面减薄至所需厚度;步骤S3,在正面引出电极(51)下方从基体(1)的背面向正面刻蚀通孔(2),通孔(2)一直通到正面引出电极(51)的金属;步骤S4,将通孔(2)侧壁和基体(1)背面沉积绝缘层(3)和种子层,然后电镀金属,形成通孔(2)内的金属导电结构(7)和基体(1)背面连接金属导电结构(7)的背面引出电极(6);步骤S5,在基体(1)背面制作覆盖背面引出电极(6)的背面钝化层(11),并在背面钝化层(11)上对应背面引出电极(6)的部分位置开口,制作焊球(12)引出电极;2CN106505967A权利要求书2/2页步骤S6,最后将晶圆基体切割成单个SAW滤波器;切割时,保持正面引出