塑封空腔结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115818559A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211242809.6(22)申请日2022.10.11(71)申请人珠海越亚半导体股份有限公司地址519175广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房(72)发明人陈先明冯磊赵江江黄本霞黄高洪业杰(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403专利代理师李翔(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)B81B7/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称塑封空腔结构及其制作方法(57)摘要本申请提供一种塑封空腔结构及其制作方法，所述塑封空腔结构包括具有沿高度方向分别贯穿绝缘层的第一空腔和第一导通柱的嵌埋封装框架；设置在所述第一空腔内的芯片组；设置在所述嵌埋封装框架上表面的第一线路层；设置在所述第一线路层上的第一介质层；设置在所述第一介质层上的第二线路层；贯穿所述第一介质层和所述绝缘层的通孔；在所述嵌埋封装框架下表面的第三线路层；在所述第三线路层上的支撑柱围墙；以及沿所述支撑柱围墙外侧形成的塑封层；其中在所述塑封层与所述嵌埋封装框架的下表面之间形成有与所述通孔连通的第二空腔，以及所述芯片组包括背靠背层叠设置的第一芯片和第二芯片。CN115818559ACN115818559A权利要求书1/2页1.一种塑封空腔结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)准备嵌埋封装框架；所述嵌埋封装框架包括沿高度方向分别贯穿绝缘层的第一空腔和第一导通柱；(b)在所述第一空腔的底部嵌埋芯片组；所述芯片组包括层叠设置的第一芯片和第二芯片，且所述第一芯片和所述第二芯片的背面彼此贴合，使得二者的端子面彼此相背；(c)在所述芯片组与所述第一空腔的间隙内形成封装层；所述封装层具有暴露所述第二芯片的端子的盲孔；(d)在所述嵌埋封装框架的上表面形成第一线路层和第二导通柱，所述第一线路层与所述第二芯片的端子导通连接；(e)在所述第一线路层的上表面层压第一介质层；其中，使所述第一介质层的上表面与所述第二导通柱的上表面齐平；(f)在所述第一介质层的上表面形成第二线路层，在所述嵌埋封装框架的下表面形成第三线路层，并在所述第三线路层上形成围绕所述第一空腔的支撑柱围墙；(g)形成沿高度方向依次贯穿所述第一介质层和所述绝缘层的通孔，其中所述通孔被上述支撑柱围墙围绕；(h)在所述嵌埋封装框架的下方沿所述支撑柱围墙的外侧形成塑封层，在所述塑封层与所述嵌埋封装框架之间形成第二空腔。2.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，步骤(h)还包括：在所述嵌埋封装框架的下方沿所述支撑柱围墙的外侧施加第二介质层，形成所述第二空腔；在所述第二介质层上层压所述塑封层。3.根据权利要求2所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，所述第二介质层为覆型膜。4.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，所述第一芯片为传感器芯片，其中所述第一芯片的传感部件表面暴露于所述第二空腔，通过所述通孔与外界连通。5.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，所述第三线路层包括功能线路层和线路围墙，所述支撑柱围墙电镀形成在所述线路围墙上。6.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，所述支撑柱围墙为铜柱围墙。7.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，步骤(f)还包括：在所述嵌埋封装框架的下表面形成第一金属种子层；在所述第一金属种子层上施加第一光刻胶层，曝光显影所述第一光刻胶层形成第一特征图案；在所述第一特征图案中电镀形成第三线路层；移除所述第一光刻胶层，在所述第一金属种子层上施加第二光刻胶层，曝光显影所述第二光刻胶层形成第二特征图案；在所述第二特征图案中电镀形成支撑柱围墙；移除所述第二光刻胶层，并蚀刻暴露的第一金属种子层。8.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，步骤(b)包括：2CN115818559A权利要求书2/2页在所述嵌埋封装框架的下表面上施加粘合层；将所述第一芯片的端子面附着在所述第一空腔内暴露的粘合层上，再在所述第一芯片的背面上贴附所述第二芯片的背面，以在所述第一空腔的底部贴装所述芯片组。9.根据权利要求1所述的塑封空腔结构制作方法，其特征在于，步骤(c)还包括：在所述芯片组与所述第一空腔的间隙内及所述嵌埋支撑框架的上表面上形成封装层；减薄所述封装层暴露出所述嵌埋支撑框架的导通柱；在所述封装层上开窗形成暴露出所述第二芯片的端子的盲孔。10.一种塑封空腔结构，其特征在于，包括：具有沿高度方向分别贯穿绝缘层的第一空腔和第一导通柱的嵌埋封装框架；设置在所述第一空腔内的芯片组；设置在所述嵌埋封装框架上