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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN1187035A(43)申请公布日1998.07.08(21)申请号CN97118438.0(22)申请日1997.09.11(71)申请人LG半导体株式会社地址韩国忠清北道(72)发明人申明进(74)专利代理机构柳沈知识产权律师事务所代理人黄敏(51)Int.CIH01L23/28H01L23/02H01L23/48H01L21/50权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称半导体芯片封装及其制造方法(57)摘要一种半导体芯片封装及制造方法,该半导体芯片封装包括:有参考表面的矩形半导体芯片,参考表面上有电路和数个焊盘;封装管座,包括放半导体芯片的凹腔、数个台阶状条栅,有位于台阶状切槽间的第一区和从第一区延伸的第二区,切槽在宽度方向沿凹腔较长一侧形成;贴在每个切槽中的导电部件,切槽在台阶状条栅的相邻第一区间;连接部件,用于电连接半导体芯片上的焊盘和一个导电部件;密封部件,用于密封半导体芯片和连接部件间及导电部件和连接部件之间的接触部分。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态权利要求说明书1.一种半导体芯片封装,该封装包括:具有参考表面的矩形半导体芯片,参考表面上有形成于其上的电路和数个焊盘;封装管座,该管座包括用于在其上设置半导体芯片的凹腔、和数个台阶状条栅,每个条栅皆具有位于台阶状切槽之间的第一区和从第一区延伸的第二区,所述切槽在宽度方向沿凹腔较长一侧形成;贴在每个切槽中的导电部件,所述切槽在台阶状条栅的相邻第一区之间;连接部件,每个皆用于电连接半导体芯片上的焊盘和一个导电部件;密封部件,用于密封半导体芯片和连接部件之间及导电部件和连接部件之间的接触部分。2.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,封装管座由绝缘材料制成。3.根据权利要求2的半导体芯片封装,其中,绝缘材料是环氧树脂模制化合物。4.根据权利要求2的半导体芯片封装,其中,绝缘材料是塑料。5.根据权利要求2的半导体芯片封装,其中,绝缘材料是陶瓷。6.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,导电部件和面对导电部件的台阶状条栅的第二区之间的间隔大于导电部件的厚度。7.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,导电部件和面对导电部件的台阶状条栅的第二区之间的间隔大于导电部件和第二区的总厚度。8.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,导电部件借助连接部件与半导体芯片上的焊盘电连接。9.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,导电部件由金属制成。10.根据权利要求9的半导体芯片封装,其中,所述金属是铝。11.根据权利要求9的半导体芯片封装,其中,所述金属铜合金。12.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,导电部件有暴露于空气的上表面、下底面和沿封装管座的台阶状切槽的侧面。13.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,连接部件是金属连线。14.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,连接部件是凸点。15.根据权利要求1的半导体芯片封装,还包括设置于半导体芯片底部的粘结部件,用于把半导体芯片粘接在凹腔中。16.根据权利要求15的半导体芯片封装,其中,所述粘结部件由环氧树脂制成。17.根据权利要求15的半导体芯片封装,其中,所述粘结部件由聚酰亚胺制成。18.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,密封部件是环氧树脂化合物。19.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,所述焊盘平行于半导体芯片的纵向形成于半导体芯片的一侧。20.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,把每个左右侧颠倒形状的第二封装管座的导电部件贴在各导电部件上,从而横向堆叠半导体芯片封装。21.根据权利要求1的半导体芯片封装,其中,连接导电部件的上表面与左右侧相同形状的第二封装管座的导电部件的相应底表面,从而纵向堆叠半导体芯片封接。22.根据权利要求20的半导体芯片封装,其中,横向堆叠的半导体芯片封装又纵向堆叠。23.一种制造半导体芯片封装的方法,该方法包括以下步骤:(1)形成封装管座,该管座具有数个台阶状条栅,每个条栅限定成具有第一区和从第一区延伸的第二区,其中第一区在相邻的台阶状切槽之间,数个台阶状条栅由其中放置半导体芯片的凹腔及数个台阶状切槽界定,所述切槽在宽度方向沿凹腔的较长边形成;(2)在每个切槽中贴附导电部件,所述切槽在封装管座的数个台阶状条栅的相邻第一区之间;(3)在封装管座上形成凹腔,该凹腔用于设置半导体芯片,半导体芯片有形成于其上的数个焊盘;(4)把半导体芯片置于凹腔中;(5)借助连接部件分别电连接半导体芯片上的数个焊盘与数个导电部件;及(6)密封半导体芯片与连接部件之间及导电部件与连接部件之间的接触部分。24.根据权利要求23的制造半导体芯片封装的方法,其中,步骤(1)包括以下步骤:形成具有数个台阶状条栅的六面体封装管座体架,每个条栅