半导体芯片封装及其制造方法.pdf
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半导体芯片封装及其制造方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN1187035A(43)申请公布日1998.07.08(21)申请号CN97118438.0(22)申请日1997.09.11(71)申请人LG半导体株式会社地址韩国忠清北道(72)发明人申明进(74)专利代理机构柳沈知识产权律师事务所代理人黄敏(51)Int.CIH01L23/28H01L23/02H01L23/48H01L21/50权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称半导体芯片封装及其制造方法(57)摘要一种半导体芯片
包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法.pdf
本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件可以包括:基层;第一半导体芯片至第N半导体芯片(N为大于1的自然数),其在基层上方依次偏移层叠,使得一侧边缘区域的芯片焊盘部被暴露,其中,芯片焊盘部包括芯片焊盘并且包括与芯片焊盘部分接触并远离芯片焊盘延伸的重分配焊盘;以及接合布线,当k为大于1的自然数时,该接合布线将第一半导体芯片至第N半导体芯片当中的第k半导体芯片的芯片焊盘连接至第k?1半导体芯片或第k+1半导体芯片的重分配焊盘,以及当k为1时,该接合布线将第k半导体芯片的芯片焊
包括多芯片层叠物的半导体封装及其制造方法.pdf
包括多芯片层叠物的半导体封装及其制造方法。提供了半导体封装。所述半导体封装包括:第一半导体芯片,其连接有第一高架柱状凸块;第二半导体芯片,其层叠在第一半导体芯片上以保留第一高架柱状凸块露出,并且被配置为包括设置在第二半导体芯片的中心区域上的第一芯片焊盘;第三半导体芯片,其偏移并层叠在第二半导体芯片上以保留第一芯片焊盘露出;以及芯片支撑件,其支撑第三半导体芯片的突出部。
半导体芯片及其制造方法.pdf
一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110),其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表
器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法.pdf
本发明提供了一种器件芯片,该器件芯片包括:衬底结构,该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构,每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料;至少一个器件单元,该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上。相应地,本发明还提供了一种器件芯片的制造方法、以及基于该器件芯片所形成的封装结构及其制造方法。本发明有利于提高封装结构的散热性能。