半导体芯片及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966589A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211136290.3(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司(22)申请日2022.09.1972002专利代理师王永建(30)优先权数据2021-1661512021.10.08JP(51)Int.Cl.H01L29/04(2006.01)(71)申请人株式会社电装H01L29/20(2006.01)地址日本爱知县H01L23/00(2006.01)申请人丰田自动车株式会社H01L23/29(2006.01)未来瞻科技株式会社H01L23/31(2006.01)浜松光子学株式会社H01L21/78(2006.01)国立大学法人东海国立大学机构B23K26/00(2014.01)(72)发明人长屋正武渡边弘纪大原淳士河口大祐原佳祐笹冈千秋小岛淳恩田正一权利要求书1页说明书8页附图8页(54)发明名称半导体芯片及其制造方法(57)摘要一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。CN115966589ACN115966589A权利要求书1/1页1.一种半导体芯片，包括：构成芯片的基板，其具有一个表面、与所述一个表面相反的另一表面、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面，所述构成芯片的基板包含六方氮化镓，其中所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个，所述两对相反侧表面中的一对沿着所述{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个，所述两对相反侧表面中的另一对沿着所述{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个，并且所述侧表面包括在作为所述侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中含有氧化镓和镓金属的改变层。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述改变层形成在深度方向上距所述侧表面20nm或更小的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述改变层包含小于10％的镓金属。4.一种用于制造根据权利要求1至3中任一项所述的半导体芯片的方法，包括：制备具有一个表面和另一表面并包含六方氮化镓的已加工晶圆，所述已加工晶圆具有由切割线限定的多个芯片形成区域；利用激光束照射所述已加工晶圆以形成芯片转变层，在所述芯片转变层中，氮与镓沿所述切割线分离；和以所述芯片转变层为边界将所述芯片形成区域彼此分开，以便形成所述构成芯片的基板，所述构成芯片的基板具有由所述已加工晶圆的所述一个表面构成的所述一个表面、由所述已加工晶圆的所述另一表面构成的所述另一表面，以及沿所述切割线的连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在形成所述构成芯片的基板之前，在所述已加工晶圆的所述一个表面上布置保持构件；和在所述芯片形成区域的分开中扩展所述保持构件以形成所述构成芯片的基板。2CN115966589A说明书1/8页半导体芯片及其制造方法技术领域[0001]本公开涉及一种设置有包含氮化镓(以下也简称为GaN)的构成芯片的基板的半导体芯片及其制造方法。背景技术[0002]传统上，已经提出了一种通过将已加工晶圆(processedwafer)分成芯片单元(chipunits)来制造半导体芯片的方法(参见例如JP2019‑126838A)。具体而言，在该制造方法中，制备已加工晶圆，该已加工晶圆包含氧化镓并且具有由切割线限定的多个芯片形成区域。在该制造方法中，通过用激光束照射切割线以形成改变层(alteredlayer)，然后用切割刀片沿着切割线切割已加工晶圆以将其分开成芯片单元来制造半导体芯片。发明内容[0003]本发明人考虑使用包含具有诸如宽带隙和高电子饱和速度等优点的GaN的已加工晶圆来制造半导体芯片。根据本发明人的研究，在将这样的已加工晶圆分开成芯片时，可能从侧表面向内产生裂纹，或者可能在侧表面上产生过大应变。[0004]鉴于上述情况，本公开的一个目的在于提供一种半导体芯片及其制造方法