线路板的内埋式线路结构的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102695368102695368B(45)授权公告日2014.12.17(21)申请号201110295365.8CN101198219A,2008.06.11,全文.CN101347053A,2009.01.14,全文.(22)申请日2011.09.27TW200952577A,2009.12.16,全文.(30)优先权数据TW201023703A1,2010.06.16,全文.1001098262011.03.23TWCN101808474A,2010.08.18,全文.(73)专利权人欣兴电子股份有限公司审查员汪灵地址中国台湾桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号(72)发明人余丞博徐嘉良张启民(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.H05K3/18(2006.01)(56)对比文件TW456004B,2001.09.21,全文.US7041591B1,2006.05.09,全文.US2008/0081209A1,2008.04.03,全文.TW201108901A1,2011.03.01,全文.权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图7页附图7页(54)发明名称线路板的内埋式线路结构的制造方法(57)摘要本发明是有关于一种线路板的内埋式线路结构的制造方法，首先，提供一包括一活化绝缘层的复合基板。活化绝缘层包括多颗触媒颗粒。接着，在活化绝缘层上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔。一些触媒颗粒活化并裸露在走线沟、接垫槽与盲孔内。在活化绝缘层上形成至少一与这些走线沟及接垫槽相通的连接沟。一些触媒颗粒活化并裸露在连接沟内。之后，利用化学沉积法，在走线沟、接垫槽、连接沟与盲孔内形成一种子层。之后，利用电镀，在种子层上形成一金属层。最后，移除连接沟。CN102695368BCN10269538BCN102695368B权利要求书1/2页1.一种线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一包括一活化绝缘层的复合基板，其中该活化绝缘层包括一绝缘层以及多颗分布在该绝缘层中的触媒颗粒，并具有一外平面；在该外平面上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔，其中一些触媒颗粒活化并裸露在该些走线沟、该接垫槽与该盲孔内，至少一条走线沟与该接垫槽相通，而该盲孔位于该接垫槽的下方，并与该接垫槽相通；在该外平面上形成至少一与该些走线沟及该接垫槽相通的连接沟，而一些触媒颗粒活化并裸露在该连接沟内；利用一化学沉积法，在该些走线沟、该接垫槽、该连接沟与该盲孔内形成一种子层，其中该些已活化的触媒颗粒参与该化学沉积法的化学反应；在形成该种子层之后，利用电镀，在该种子层上形成一金属层，以在该些走线沟内分别形成多条走线，在该接垫槽内形成一接垫，在该盲孔内形成一导电柱，以及在该连接沟内形成一电镀线；以及在形成该些走线与该接垫之后，移除该电镀线。2.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的化学沉积法为无电电镀或化学气相沉积。3.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中移除该电镀线的方法包括研磨、刷磨或蚀刻。4.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中形成该些走线沟、该接垫槽、该盲孔与该连接沟，并活化该些触媒颗粒的方法包括对该活化绝缘层进行激光烧蚀或等离子体蚀刻。5.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的连接沟相对于该外平面的深度小于该些走线沟相对于该外平面的深度以及该接垫槽相对于该外平面的深度。6.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的导电柱为实心柱体。7.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中该些触媒颗粒的材料包括至少一种金属配位化合物。8.根据权利要求7所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的金属配位化合物的材料选自于由锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铬、钼、钨、钒、钽以及钛所组成的群组。9.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中该些触媒颗粒为多个金属颗粒。10.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的绝缘层的材料是选自于由环氧树脂、改质的环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、双顺丁烯二酸-三氮杂苯树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、液晶高分子、聚