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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102695371102695371B(45)授权公告日2015.02.18(21)申请号201110295397.8CN101600300A,2009.12.09,TW201023703A1,2010.06.16,(22)申请日2011.09.27US2007/0039754A1,2007.02.22,(30)优先权数据CN101193502A,2008.06.04,1001098252011.03.23TW审查员刘恋恋(73)专利权人欣兴电子股份有限公司地址中国台湾桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号(72)发明人张启民余丞博徐嘉良(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.H05K3/20(2006.01)H05K1/02(2006.01)(56)对比文件US4985600,1991.01.15,权权利要求书2页利要求书2页说明书9页说明书9页附图10页附图10页(54)发明名称线路板的内埋式线路结构的制造方法(57)摘要本发明是有关于一种线路板的内埋式线路结构的制造方法,首先,在一基板上形成一阻隔层。接着,在阻隔层上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔。在阻隔层上形成至少一与这些走线沟及接垫槽相通的连接沟。接着,形成一覆盖阻隔层与基板的活化层。在形成活化层之后,移除阻隔层。之后,在活化层上形成一种子层。接着,利用电镀,在种子层上形成一金属层,以形成多条位于这些走线沟内的走线、位于接垫槽内的接垫、位于盲孔内的导电柱及位于连接沟内的电镀线。之后,移除电镀线。如此,在移除电镀线之后,线路板的内埋式线路结构得以制造完成。CN102695371BCN10269537BCN102695371B权利要求书1/2页1.一种线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:在一基板的一平面上形成一阻隔层,其中该阻隔层全面性地覆盖该平面,并具有一外表面;在该外表面上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔,该些走线沟、该接垫槽与该盲孔皆局部暴露该基板,其中至少一条走线沟与该接垫槽相通,而该盲孔位于该接垫槽的下方,并与该接垫槽相通;在该外表面上形成至少一与该些走线沟及该接垫槽相通的连接沟,其中该连接沟局部暴露该基板;形成一全面性地覆盖该外表面以及该些走线沟、该接垫槽、该盲孔与该连接沟四者所有表面的活化层;在形成该活化层之后,移除该阻隔层;在形成该活化层之后,利用无电电镀,在该活化层上形成一种子层;利用电镀,在该种子层上形成一金属层,以在该些走线沟内分别形成多条走线,在该接垫槽内形成一接垫,在该盲孔内形成一导电柱,以及在该连接沟内形成一电镀线;以及在形成该些走线与该接垫之后,移除该电镀线。2.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该阻隔层的方法包括:在该平面上涂布一高分子材料层;以及烘烤该高分子材料层。3.根据权利要求2所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中烘烤该高分子材料层的时间介于5分钟与20分钟之间。4.根据权利要求2所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中烘烤该高分子材料层的时间介于15分钟与40分钟之间。5.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的阻隔层的材料为高分子材料,且该阻隔层的一玻璃转换温度变化量大于3℃。6.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的阻隔层的材料为高分子材料,且该阻隔层的一玻璃转换温度变化量小于或等于3℃。7.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的阻隔层是在形成该电镀线之前移除。8.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的阻隔层是在形成该电镀线之后移除。9.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中移除该阻隔层的方法包括化学移除、研磨或刷磨。10.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中移除该电镀线的方法包括蚀刻、研磨或刷磨。11.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该些走线沟、该接垫槽、该盲孔与该连接沟的方法包括对该基板与该阻隔层进行激光烧蚀。12.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所2CN102695371B权利要求书2/2页述的连接沟相对于该平面的深度小于该些走线沟相对于该平面的深度以及该接垫槽相对于该平面的深度。13.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该活化层的方法包括将该阻隔层