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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103779314103779314A(43)申请公布日2014.05.07(21)申请号201310149463.X(22)申请日2013.04.26(30)优先权数据1011394292012.10.25TW(71)申请人财团法人工业技术研究院地址中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号申请人欣兴电子股份有限公司(72)发明人陈裕华骆韦仲胡迪群谢昌宏(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人梁挥鲍俊萍(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L21/48(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图5页附图5页(54)发明名称封装基板及其制作方法(57)摘要一种封装基板及其制作方法,其包括:具有多个导电穿孔与形成于该导电穿孔外侧壁上的第一绝缘层的中介层、形成于该中介层一侧上的第二绝缘层、以及形成于该第二绝缘层中且电性连接该导电穿孔的多个导电盲孔。借由增加该第一绝缘层的厚度,而可缩小该导电穿孔的端面直径,以提高该中介层的导电穿孔的布设密度。CN103779314ACN103794ACN103779314A权利要求书1/2页1.一种封装基板,其特征在于,包括:中介层,其具有相对的第一侧与第二侧、及贯穿该第一侧与该第二侧的至少一导电穿孔,该第一侧上具有电性连接该导电穿孔的线路重布层,且该导电穿孔的外侧壁上具有一第一绝缘层,其中,该导电穿孔的端面直径不大于80μm,而该导电穿孔与该第一绝缘层所构成的端面直径大于80μm;第二绝缘层,其形成于该中介层的该第二侧上;以及至少一导电盲孔,其形成于该第二绝缘层中,以电性连接该导电穿孔。2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该中介层含有硅材。3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该线路重布层的外层具有至少一电极垫。4.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该第一绝缘层为味之素积累膜材或高分子聚合物材料。5.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该第二绝缘层为味之素积累膜材或高分子聚合物材料。6.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该导电穿孔的端面直径为50μm。7.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括线路层,形成于该第二绝缘层上,且电性连接该导电盲孔。8.根据权利要求7所述的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括线路增层结构,形成于该第二绝缘层与该线路层上。9.根据权利要求8所述的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括绝缘保护层,形成于该线路增层结构上,且该绝缘保护层具有多个开孔,以外露该线路增层结构的部份线路,以供作为电性接触垫。10.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括模封层,包覆该中介层。11.根据权利要求10所述的封装基板,其特征在于,该模封层外露该线路重布层。12.一种封装基板的制作方法,其特征在于,包括:提供一中介层,其具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与该第二侧的至少一导电穿孔,且该中介层的第一侧上具有电性连接该导电穿孔的线路重布层,又该导电穿孔的外侧壁上具有一第一绝缘层,其中,该导电穿孔的端面直径不大于80μm,而该导电穿孔与该第一绝缘层所构成的端面直径大于80μm;于该中介层的该第二侧上形成第二绝缘层;于该第二绝缘层上以激光方式形成至少一盲孔,令该导电穿孔外露于该盲孔;以及于该些盲孔中形成导电盲孔,以电性连接该导电穿孔。13.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该中介层含有硅材。14.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该线路重布层的外层具有至少一电极垫。15.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该第一绝缘层为味之素积累膜材或高分子聚合物材料。16.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该第二绝缘层为味之2CN103779314A权利要求书2/2页素积累膜材或高分子聚合物材料。17.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该导电穿孔的端面直径为50μm。18.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该制作方法还包括于该第二绝缘层上形成线路层,且电性连接该导电盲孔。19.根据权利要求18所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该制作方法还包括于该第二绝缘层与该线路层上形成线路增层结构。20.根据权利要求19所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该制作方法还包括于该线路增层结构上形成绝缘保护层,且该绝缘保护层具有多个开孔,以外露该线路增层结构的部份线路,以供作为电性接触垫。21.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,该制