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高功率器件扇出型封装结构及生产工艺.pdf
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高功率器件扇出型封装结构及生产工艺.pdf
本发明涉及一种高功率器件扇出型封装结构及生产工艺，其特征是包括芯板，芯板上的槽体中设置芯片；所述芯板、芯片、下层介质材料和上层介质材料压合在一起；所述上层介质材料位于芯板背面的正上方，上层介质材料的表面设有金属层，在上层介质材料上设有开口，开口位于芯片背面的正上方，在开口中填充热沉；在所述下层介质材料的下表面设有阻焊层，在阻焊层中布置RDL线路层，RDL线路层的焊盘上设有BGA球；在所述下层介质材料上设有激光盲孔，激光盲孔中填充电镀金属，RDL线路层通过激光盲孔中的电镀金属与芯片正面的焊盘互连。在所述芯片
2023-06-28
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2023-06-28
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扇出型封装结构.pdf
本发明提供了一种扇出型封装结构，包括：载板，包括相对的第一面及第二面，且设有贯穿的腔体；散热结构及待封装芯片，设于腔体内，散热结构包覆待封装芯片的无源面及侧壁，且与腔体的内壁固定连接，待封装芯片的有源面显露于第一面；重布线结构，设于第一面及待封装芯片上，与有源面电性连接以引出。本发明中，散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，使得待封装芯片具有较大的散热面积，从而具有较佳的散热效果，而且，将散热结构填充于载板的腔体内，还可利用载板所形成的框架抑制散热结构在散热时的应变，有利于扇出型封装结构在低应力下实现较佳
2023-06-07
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