扇出型封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863278A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211700134.5(22)申请日2022.12.28(71)申请人复旦大学地址200433上海市杨浦区邯郸路220号(72)发明人刘子玉张卫崔文菁汪洋王浩陈琳孙清清(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师郑星(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/13(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称扇出型封装结构(57)摘要本发明提供了一种扇出型封装结构，包括：载板，包括相对的第一面及第二面，且设有贯穿的腔体；散热结构及待封装芯片，设于腔体内，散热结构包覆待封装芯片的无源面及侧壁，且与腔体的内壁固定连接，待封装芯片的有源面显露于第一面；重布线结构，设于第一面及待封装芯片上，与有源面电性连接以引出。本发明中，散热结构覆盖待封装芯片的侧壁及无源面，使得待封装芯片具有较大的散热面积，从而具有较佳的散热效果，而且，将散热结构填充于载板的腔体内，还可利用载板所形成的框架抑制散热结构在散热时的应变，有利于扇出型封装结构在低应力下实现较佳的散热效果。CN115863278ACN115863278A权利要求书1/1页1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：载板，包括相对的第一面及第二面，且设有贯穿的腔体；散热结构及待封装芯片，设于所述腔体内，所述散热结构包覆所述待封装芯片的无源面及侧壁，且与所述腔体的内壁固定连接，所述待封装芯片的有源面显露于所述第一面；重布线结构，设于所述第一面及所述待封装芯片上，与所述有源面电性连接以引出。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述散热结构靠近所述第二面的一面与所述第二面齐平，所述散热结构靠近所述第一面的一面与所述第一面及所述待封装芯片的有源面齐平。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述散热结构包括绝缘层及第一散热层，所述绝缘层覆盖所述腔体的内壁、所述待封装芯片的无源面及侧壁，所述第一散热层覆盖所述绝缘层且填充所述腔体。4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述绝缘层的材质包括氧化硅，所述第一散热层的材质包括金属材质。5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线结构包括重布线层及隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述第一面及所述待封装芯片，所述重布线层设于所述隔离材料层中且电性引出所述待封装芯片。6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述隔离材料层包括依次设置的第一至第四隔离层，所述重布线层包括第一至第二布线层，所述第一布线层设于所述第一隔离层及所述第二隔离层中，所述第二布线层设于所述第三隔离层及所述第四隔离层中。7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述待封装芯片具有多个焊盘，所述第一布线层包括第一连接件及第二连接件，所述第一连接件向所述待封装芯片的外侧电性引出部分所述焊盘，所述第二连接件竖直电性引出部分所述焊盘，所述第二布线层包括第三连接件及第四连接件，所述第三连接件向外侧或竖直电性引出所述第一连接件，所述第四连接件向所述待封装芯片的内侧电性引出所述第二连接件。8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线结构中还设有第二散热层及第三散热层，所述第二散热层设于所述第二隔离层中，所述第三散热层设于所述第三隔离层及所述第四隔离层中，所述第二散热层连接所述第三散热层。9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二散热层的面积大于所述第三散热层的面积。10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线结构上还设有导电连接件，所述导电连接件与所述重布线层连接且凸出所述隔离材料层的表面。2CN115863278A说明书1/5页扇出型封装结构技术领域[0001]本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种扇出型封装结构。背景技术[0002]随着近年来集成电路的发展，集成电路封装也再不断的完善。芯片的特征尺寸逐渐小型化以满足摩尔定律的要求，虽然芯片特征尺寸减小，但是芯片内的电子元件数量却不断增加。为了实现芯片功能在产品终端的应用，在封装领域需要封装尺寸紧凑、有更多的输出终端I/O数量的封装技术。扇出型封装技术凭借其低成本、集成度高等优点脱颖而出。[0003]但目前扇出型封装结构的散热问题还可进一步提高，特别是当采用大功率芯片时，封装结构的散热问题逐渐凸显。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构，以提高扇出型封装结构的散热效果。[0005]为解决上述技术问题，本发明提供的扇出型封装结构，包括：[0006]