一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110957269A(43)申请公布日2020.04.03(21)申请号201911089965.1(22)申请日2019.11.08(71)申请人广东佛智芯微电子技术研究有限公司地址528225广东省佛山市狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A1座科研楼208室申请人广东芯华微电子技术有限公司(72)发明人蔡琨辰刘春平崔锐斌(74)专利代理机构广州知顺知识产权代理事务所(普通合伙)44401代理人彭志坚(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法(57)摘要本发明提供一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，包括以下步骤：提供一载板，对载板进行开槽，形成槽孔，然后在载板计划制作电镀孔的位置打通孔；将载板贴在承载胶上，将芯片植入槽孔内，并在通孔内植入金属块；进行第一次塑封，形成一次塑封件；拆除承载胶，把一次塑封件上下翻转，对一次塑封件的另一面进行第二次塑封，形成二次塑封件；在第一塑封层和第二塑封层上打盲孔，以露出芯片的IO接口和金属块；对盲孔进行真空溅射，并在二次塑封件的上、下两面建立种子层；依次通过贴干膜-曝光-显影-闪蚀，制作RDL层。本发明的改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法有效降低电镀的工艺难度，缩短电镀的时间，降低生产成本。CN110957269ACN110957269A权利要求书1/1页1.一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一载板(1)，对载板(1)进行开槽，形成槽孔(2)，然后在载板(1)计划制作电镀孔的位置打通孔(3)；将载板(1)贴在承载胶(4)上，将芯片(5)植入槽孔(2)内，并在通孔(3)内植入金属块(9)；接下来进行第一次塑封，形成第一塑封层(10)覆盖载板(1)、金属块(9)以及芯片(5)，使之整体形成一次塑封件(6)；拆除承载胶(4)，把一次塑封件(6)上下翻转，对一次塑封件(6)的另一面进行第二次塑封，形成第二塑封层(11)覆盖载板(1)、金属块(9)以及芯片(5)，使之整体形成二次塑封件(7)；在第一塑封层(10)和第二塑封层(11)上打盲孔，以露出芯片(5)的IO接口和金属块(9)；然后对盲孔进行真空溅射，并在二次塑封件(7)的上、下两面建立种子层；依次通过贴干膜-曝光-显影-闪蚀，制作RDL层(8)。2.如权利要求1所述的改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，其特征在于：通孔(3)的深宽比＞1。3.如权利要求1所述的改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，其特征在于：金属块(9)的材料为Cu、Ag或Au。4.如权利要求1所述的改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，其特征在于：第二塑封层(11)的厚度和第一塑封层(10)的厚度相同。5.如权利要求1所述的改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，其特征在于：金属块(9)的长度小于或等于载板(1)的厚度。2CN110957269A说明书1/3页一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法技术领域[0001]本发明涉及扇出型封装技术领域，尤其涉及一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法。背景技术[0002]随着越来越多的高密度、多功能和小型化需求给封装和基板都带来了新的挑战，很多新的封装技术应运而生，包括埋入式封装技术。埋入式封装技术是把电阻、电容、电感等被动元件甚至是IC等主动器件埋入到印刷电路板内部，这种做法可以缩短元件相互之间的线路长度，改善电气特性，而且还能提高有效的印制电路板封装面积，减少大量的印制电路板板面的焊接点，从而提高封装的可靠性，并降低成本，是一种非常理想的高密度封装技术。[0003]然而，在埋入式的封装过程中会使用电镀工艺，当埋入式封装中需要进行建立电镀通孔时，当遇到深宽比较大的通孔时，它的电镀实现比较困难，容易产生空洞，而且电镀时间较长，最终导致产品可靠度降低，甚至报废。发明内容[0004]本发明提供一种能够有效降低电镀的工艺难度，缩短电镀的时间，降低生产成本的改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法。[0005]本发明采用的技术方案为：一种改善埋入式扇出型封装结构电镀性能的制作方法，包括以下步骤：[0006]提供一载板，对载板进行开槽，形成槽孔，然后在载板计划制作电镀孔的位置打通孔；[0007]将载板贴在承载胶上，将芯片植入槽孔内，并在通孔内植入金属块；接下来进行第一次塑封，形成第一塑封层覆盖载板、金属块以及芯片，使之整体形成一次塑封件；[0008]拆除承载胶，把一次塑封件上下翻转，对一次塑封件的另一面进行第二次塑