扇出型埋入式芯片封装方法及封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881558A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310016675.4(22)申请日2023.01.06(71)申请人苏州通富超威半导体有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区苏桐路88号(72)发明人刘在福郭瑞亮焦洁(74)专利代理机构北京中知法苑知识产权代理有限公司11226专利代理师李明赵吉阳(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称扇出型埋入式芯片封装方法及封装结构(57)摘要本公开实施例提供一种扇出型埋入式芯片封装方法及封装结构，该封装方法包括：分别提供第一芯片和第二芯片；第二芯片的第一表面形成有导电凸块；在第一芯片的第一表面形成金属焊盘；将第二芯片的第二表面固定于第一芯片的第一表面；在第一芯片的第一表面形成钝化层，钝化层包裹所述第二芯片；在钝化层对应金属焊盘的位置处，形成贯穿钝化层厚度的导电柱；导电柱的第一端与对应的金属焊盘电连接，导电柱的第二端与导电凸块电连接；在钝化层背离第一芯片的表面以及第二芯片的第一表面形成重布线层。该封装方法改善了芯片封装过程的翘曲问题，提高了芯片封装的品质，简化了工艺流程，缩短了工艺周期，提高了芯片封装的良率。CN115881558ACN115881558A权利要求书1/2页1.一种扇出型埋入式芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：分别提供第一芯片和第二芯片；其中，所述第二芯片的第一表面设置有导电凸块；在所述第一芯片的第一表面形成金属焊盘；将所述第二芯片的第二表面固定于所述第一芯片的第一表面；在所述第一芯片的第一表面形成钝化层，所述钝化层包裹所述第二芯片；在所述钝化层对应所述金属焊盘的位置处，形成贯穿所述钝化层厚度的导电柱；其中，所述导电柱的第一端与对应的所述金属焊盘电连接，所述导电柱的第二端与所述导电凸块电连接；在所述钝化层背离所述第一芯片的表面以及所述第二芯片的第一表面形成重布线层。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述将所述第二芯片的第二表面固定于所述第一芯片的第一表面，包括：在所述第一芯片的第一表面设置所述第二芯片的预留区域；在所述预留区域外侧的所述第一芯片的第一表面形成第一金属层；图形化所述第一金属层形成所述金属焊盘；将所述第一芯片的第二表面固定于所述预留区域。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述钝化层背离所述第一芯片的表面凸出于所述第二芯片的第一表面，在形成所述导电柱之前，所述方法还包括：将所述钝化层背离所述第一芯片的表面进行减薄，以露出所述第二芯片上的所述导电凸块。4.根据权利要求1至3任一项所述的封装方法，其特征在于，所述在所述钝化层对应所述金属焊盘的位置处，形成贯穿所述钝化层厚度的导电柱，包括：图形化所述钝化层，在所述钝化层对应所述金属焊盘的位置处形成贯穿所述钝化层厚度的第一通孔；在所述第一通孔内填充导电材料，形成所述导电柱。5.根据权利要求1至3任一项所述的封装方法，其特征在于，所述在所述钝化层背离所述第一芯片的表面以及所述第二芯片的第一表面形成重布线层，包括：在所述钝化层背离所述第一芯片的表面以及所述第二芯片的第一表面形成第二金属层；图形化所述第二金属层，在对应所述导电柱的位置处形成互连金属层；其中，所述互连金属层与所述导电柱的第二端电连接；在所述互连金属层上形成介电层，形成所述重布线层。6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，形成所述重布线层之后，所述方法还包括：图形化所述介电层，在所述介电层对应所述导电柱的位置处形成第二通孔；在所述第二通孔内形成焊球。7.根据权利要求1至3任一项所述的封装方法，其特征在于，所述钝化层的材料采用绝缘膜、钝化材料或者再钝化材料。8.一种扇出型埋入式封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：第一芯片，所述第一芯片的第一表面设置有金属焊盘；2CN115881558A权利要求书2/2页第二芯片，所述第二芯片的第二表面固定于所述第一芯片的第一表面，所述第二芯片的第一表面设置有导电凸块；钝化层，所述钝化层设置于所述第一芯片的第一表面并围设于所述第二芯片外侧，所述钝化层在对应所述金属焊盘的位置处设置有第一通孔；导电柱，所述导电柱设置于对应的所述第一通孔；其中，所述导电柱的第一端与对应的所述金属焊盘电连接，所述导电柱的第二端与对应的所述导电凸块电连接；重布线层，设置于所述钝化层背离所述第一芯片的表面以及所述第二芯片的第一表面。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述重布线层包括互连金属层和介电层；所述互连金属层设置于所述钝化层背离所述第一芯片的表面以及所述第二芯片的第一