高密度互连板制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111556669A(43)申请公布日2020.08.18(21)申请号202010255941.5(22)申请日2020.04.02(71)申请人深圳市景旺电子股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗水库路166号(72)发明人任城洵黄俊王波陈龙冯汝良吴茂林罗凌杰刘爽赵黄盛(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414代理人周伟锋(51)Int.Cl.H05K3/46(2006.01)H05K3/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称高密度互连板制造方法(57)摘要本申请涉及高密度互连板制造技术领域，提供一种高密度互连板制造方法，包括料材预备、内层曝光、内层蚀刻、压合芯板、激光钻孔和外层曝光步骤，在内层曝光步骤中，于第2互连芯板的上基面固化形成至少三个标靶保护膜；在内层蚀刻步骤中，于标靶保护膜对应位置处形成定位标靶图形；在激光钻孔步骤中，于第1铜箔薄片的上基面钻出标靶外露孔；在外层曝光步骤中，识别并抓取定位标靶图形并对第1铜箔薄片的上基面进行曝光作业。高密度互连板制造方法在激光钻孔和外层曝光步骤中所采用的定位标靶一致，可有效避免外层图形与激光盲孔出现对位偏差，定位标靶图形通过蚀刻形成，形状规则，利于识别并抓取，避免了曝光拒曝、图形偏位及崩孔问题。CN111556669ACN111556669A权利要求书1/1页1.一种高密度互连板制造方法，用于制造高密度互连板，其特征在于，包括以下步骤：料材预备，预备第1铜箔薄片和第2互连芯板；内层曝光，对所述第2互连芯板的上基面进行曝光处理，以于所述第2互连芯板的上基面固化形成线路保护膜和至少三个标靶保护膜；内层蚀刻，对所述第2互连芯板的上基面进行显影、蚀刻和退膜处理，以于所述线路保护膜对应位置处形成内层线路，且于所述标靶保护膜对应位置处形成定位标靶图形；压合芯板，压合所述第1铜箔薄片和所述第2互连芯板，以使所述第1铜箔薄片和所述第2互连芯板压接，其中，所述第1铜箔薄片和所述第2互连芯板从上往下层叠设置；激光钻孔，于所述第1铜箔薄片的上基面钻出标靶外露孔，所述标靶外露孔与所述定位标靶图形上下对位设置且使所述定位标靶图形外露；外层曝光，识别并抓取所述定位标靶图形并对所述第1铜箔薄片的上基面进行曝光作业。2.如权利要求1所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，在所述激光钻孔步骤之后，且在所述外层曝光步骤之前，还包括：机械钻孔，在各所述定位标靶图形的中心处钻出定位标靶孔，所述定位标靶孔与所述定位标靶图形形成复合定位标靶；其中，在所述外层曝光步骤中，识别并抓取所述复合定位标靶并计算涨缩系数且对所述第1铜箔薄片的上基面进行曝光作业。3.如权利要求2所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述定位标靶孔为通孔。4.如权利要求2所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述定位标靶孔的径向尺寸为0.6～2.0mm。5.如权利要求1所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述标靶外露孔的截面面积大于所述定位标靶图形的截面面积。6.如权利要求1所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述定位标靶图形呈圆环状设置。7.如权利要求6所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述定位标靶图形的外径尺寸和内径尺寸之差为0.4mm。8.如权利要求7所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述定位标靶图形的外径尺寸为2.7mm，且内径尺寸为2.3mm。9.如权利要求6所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，所述标靶外露孔的截面形状呈矩形设置。10.如权利要求1-9中任一项所述的高密度互连板制造方法，其特征在于，在所述外层曝光步骤中，通过激光直接成像技术识别并抓取所述定位标靶图形。2CN111556669A说明书1/7页高密度互连板制造方法技术领域[0001]本申请属于高密度互连板制造技术领域，尤其涉及一种高密度互连板制造方法。背景技术[0002]高密度互连板(HighDensityInterconnector，简称HDI板)的制造工序之间的关联密切，若其中的任何一道工序的对位精度出现问题，都将直接影响后续工序的产品良率，甚至导致批量报废。其中，在图形转移工序中，由于曝光作业所抓取的定位标靶与镭射钻孔的定位系统不一致，再结合流程长、板涨缩不一致、曝光涨缩系数多等原因，导致在曝光蚀刻时，易出现线路图形偏位、盲孔崩孔、通孔崩孔等问题，极大影响生产品质。[0003]为解决上述问题，相关行业内会在镭射钻孔工序中，利用激光在压合板上加工盲孔，并同时加工出用于在第二次图形转移时被抓取定位的定位标靶孔。采用该技术方案可有效避免第二次图形转移的图形与镭射盲孔出现对位偏差的问题，然而，或基于镭射钻孔的