晶圆承载装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112635369A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202011423418.5(22)申请日2020.12.08(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人王海宾王泽飞(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人栾美洁(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称晶圆承载装置(57)摘要本发明公开了一种晶圆承载装置，其包括第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部，第三支撑部位于第一支撑部和第二支撑部之间，所述第三支撑部具有多个平行的限位块，相邻限位块之间形成供晶圆插入的插槽，所述插槽在平行于限位块排列方向的平面内的投影由上部的喇叭形开口和下部的长条形盲孔组成，所述喇叭形开口的下端与长条形盲孔的上端连接，所述喇叭形开口为弧形结构且由上至下呈减缩状。本发明将第三支撑部中的插槽由带夹角的Y型改进为带弧度的Y型，既能减小晶圆与第三支撑部的插槽之间的阻力，有助于晶圆自由下落，又可以更好地固定晶圆并保持晶圆之间的间距，使得晶圆在传输过程或者加工过程中不会发生晃动，避免了叠片或斜插等情况的发生。CN112635369ACN112635369A权利要求书1/1页1.一种晶圆承载装置，其特征在于，其包括第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部，所述第三支撑部位于所述第一支撑部和所述第二支撑部之间，所述第三支撑部具有多个平行的限位块，相邻的所述限位块之间形成供晶圆插入的插槽，所述插槽在平行于所述限位块排列方向的平面内的投影由上部的喇叭形开口和下部的长条形盲孔组成，所述喇叭形开口的下端与所述长条形盲孔的上端连接，所述喇叭形开口为弧形结构且由上至下呈减缩状。2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一支撑部与所述晶圆的接触面为弧形面。3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第二支撑部与所述晶圆的接触面为弧形面。4.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一支撑部的底部、第二支撑部的底部和所述第三支撑部的底部连接在一起。5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一支撑部、所述第二支撑部和所述第三支撑部为相互独立的分体结构。6.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置安装在晶圆传送设备中。7.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置安装在槽式清洗机的升降机构中。8.根据权利要求7所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置用于8寸或12寸的湿法清洗中。2CN112635369A说明书1/3页晶圆承载装置技术领域[0001]本发明与半导体集成电路制造技术有关，具体涉及一种晶圆承载装置。背景技术[0002]晶圆的制造工艺复杂，拥有很多工序，不同工序中使用了不同的化学材料，通常会在晶圆表面残留化学剂、颗粒、金属等杂质，如果不及时清洗干净，会随着生产制造逐渐累积，影响最终的质量。在晶圆制造工艺中，一般存在五个清洗步骤，分别是颗粒去除清洗、刻蚀后清洗、预扩散清洗、金属离子去除清洗和薄膜去除清洗。因此，作为清洗工艺的基础，清洗设备成为了制程发展的关键。[0003]按照清洗方式的不同，清洗设备可分为单片式和槽式两种，其中槽式清洗设备清洗效率较高，成本较低。目前，常用的湿法槽式清洗机采用的是平台式(Bench式)工艺模式。[0004]在清洗过程中，晶圆需间隔地放置在承载晶圆的装置，所以晶圆传输过程中，在晶圆加工前需要合批，工艺结束后分批，以及在槽内清洗时,都需要这种晶圆承载装置(waferguide)。[0005]现有的晶圆承载装置2包括第一支撑部21、第二支撑部22和第三支撑部23三个支撑部分，如图1所示，第三支撑部23位于第一支撑部21和第二支撑部22之间，其中，左右两个支撑部21、22主要对晶圆进行承载，中间的第三支撑部23主要起到固定晶圆1的作用。具体的，中间的第三支撑部23具有多个供晶圆1插入的插槽231(slot)，如图2所示，插槽231的截面呈Y型，如图4所示，目前常用的晶圆承载装置中，插槽的宽度为0.8mm。[0006]现有晶圆承载装置的结构存在不足，主要在于晶圆的厚度约为0.75mm～0.8mm，工艺过后的晶圆的厚度接近晶圆承载装置的插槽的宽度，所以将晶圆放置在晶圆承载装置上面时，由于插槽的Y型结构，使得晶圆与插槽转折处阻力较大，晶圆无法自然地落入插槽中，如图2所示的右侧晶圆，进而导致晶圆会发生较大的晃动，晶圆上边缘容易发生重叠或接触，如图3所示(虚线所示为晶圆晃动后造成上边缘接触)，造成晶圆传输到下一单元时容易发生叠片或斜插或晶