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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113163623A(43)申请公布日2021.07.23(21)申请号202110462315.8(22)申请日2021.04.27(71)申请人江门市和美精艺电子有限公司地址529000广东省江门市新会区崖门镇新财富环保产业园310座第三、四层(72)发明人张必燕(74)专利代理机构深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙)44540代理人欧阳士(51)Int.Cl.H05K3/42(2006.01)H05K3/00(2006.01)H05K3/28(2006.01)H05K3/26(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图2页(54)发明名称一种多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法(57)摘要本发明提供了一种多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其包括如下步骤:在双面覆铜板进行内层机械钻孔、棕化、内层镭射钻孔、内层除胶渣、内层孔化、内层填孔、内层线路、内层AOI、棕化、外层压合、打靶铣边、减铜、外层镭射前棕化、外层镭射钻孔,得到封装基板;对封装基板及盲孔进行等离子清洗;将封装基板钻非导通的定位孔;对封装基板进行除胶渣处理,除去孔内及表面的胶渣;对封装基板进行孔化处理,在盲孔的孔壁上形成一层导电膜,使封装基板两面的最外两层之间通过盲孔内的导电膜连接起来,与内层埋孔相连;进行盲孔填孔处理。采用本发明的技术方案,提高了封装基板的功能性及可靠性,获得了更好的盲孔填平效果。CN113163623ACN113163623A权利要求书1/3页1.一种多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其特征在于:其包括如下步骤:步骤S1,在双面覆铜板进行内层机械钻孔、棕化、内层镭射钻孔、内层除胶渣、内层孔化、内层填孔、内层线路、内层AOI、棕化、外层压合、打靶铣边、减铜、外层镭射前棕化、外层镭射钻孔,得到封装基板;步骤S2,对封装基板及盲孔进行等离子清洗;步骤S3,在封装基板钻非导通的定位孔;步骤S4,对封装基板进行除胶渣处理,除去孔内及表面的胶渣;步骤S5,对封装基板进行孔化处理,在盲孔的孔壁上形成一层导电膜,使封装基板两面的最外两层之间通过盲孔内的导电膜连接起来,与内层埋孔相连;步骤S6,进行盲孔填孔处理。2.根据权利要求1所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其特征在于:步骤S5包括:步骤S501,酸洗清洁封装基板板面氧化层及脏污;步骤S502,将封装基板经过PI调整处理,粗化及调整盲孔孔壁聚酰亚胺树脂表面,以便封装基板与盲孔金属层更好地结合;步骤S503,对调整后的封装基板进行清洗冲洗,去除封装基板板面的药水残留;步骤S504,整孔处理,去除封装基板盲孔内及板面钻孔留下的残渣;步骤S505,冲洗清洗封装基板板面药水残留;步骤S506,氧化处理,通过氧化剂选择性地氧化孔壁介质层表面,形成氧化介质层,在树脂和玻璃纤维表面形成二氧化锰层;步骤S507,水洗封装基板板面的药水残留;步骤S508,催化处理,将封装基板放入含有有机单体化合物和催化剂的酸性介质中,使单体分子选择性的在封装基板孔壁的玻璃纤维和树脂区域与二氧化锰发生聚合反应,生成一层高分子的聚合物导电膜;步骤S509,清洗封装基板板面,并吹干板面。3.根据权利要求2所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其特征在于:步骤S501中,酸洗采用溶液为硫酸溶液,硫酸溶液的浓度为3.5‑4.5%;步骤S502中,采用调整剂溶液对封装基板进行调整处理,调整剂溶液中,调整剂的重量百分比浓度为10%‑20%,碱当量为1.0~1.4N,调整处理的时间为50秒;步骤S504中,采用整孔处理溶液对将封装基板进行整孔处理,所述整孔处理溶液中,碳酸钠的浓度为4‑8g/L;整孔处理溶液的温度为50℃‑60℃;步骤S506中,采用氧化处理溶液对将封装基板进行氧化处理,所述氧化处理溶液包含硼酸,所述氧化处理溶液的温度为85℃‑91℃,pH值为5.18‑6.62;步骤S508中,所采用的催化剂包括PSHCAT‑2880B‑MU、PSHCAT‑2880A中的至少一种。4.根据权利要求3所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其特征在于:步骤S5中,按照步骤S501~步骤S509的步骤孔化两次。5.根据权利要求2所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其特征在于:步骤S2和步骤S3之间还包括:检测盲孔内铜渣的去除情况和盲孔内的胶渣残留情况。6.根据权利要求2所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法,其特征在于:步骤S42CN113163623A权利要求书2/3页包括:步骤S401,采用膨松剂溶液对封装基板进行处理,除去封装基板孔内及表面的胶渣;步骤S402,通过水洗处理掉封装基板的膨松剂药水残留;步骤S403,采用高锰酸钠溶液对封装基板进行