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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113279034A(43)申请公布日2021.08.20(21)申请号202110532805.0(22)申请日2021.05.14(71)申请人惠州中京电子科技有限公司地址516029广东省惠州市仲恺高新区陈江镇中京路1号(72)发明人李焱程李清春黄秀峰叶汉雄(74)专利代理机构惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙)44349代理人陈文福(51)Int.Cl.C25D7/12(2006.01)C25D5/02(2006.01)C25D5/00(2006.01)B23K26/382(2014.01)B30B9/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称用于MiniLED微盲孔的填孔电镀加工方法(57)摘要本申请是关于一种用于MiniLED微盲孔的填孔电镀加工方法。该方法包括:使用1027pp压合,得到目标介厚工件,对该目标介厚工件进行镭射钻孔处理,得到钻孔工件,对该钻孔工件进行plasma清洗处理,得到除胶工件,对该除胶工件进行去膜处理,得到去膜工件,对该去膜工件进行日蚀处理,得到镀碳工件,对该镀碳工件进行填孔电镀处理,得到成品工件。本申请提供的方案,控制压合介厚,降低盲孔径纵横比,通过plasma清洗,减少异物堵孔风险,除净孔壁以及底部的残胶,使VCP填孔电镀环节可以使得药水交换更充分,从而使铜层和电镀层结合充分,增加成品率。CN113279034ACN113279034A权利要求书1/1页1.一种用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:使用1027pp压合,得到目标介厚工件;对所述目标介厚工件进行镭射钻孔处理,得到钻孔工件;对所述钻孔工件进行plasma清洗处理,得到除胶工件;对所述除胶工件进行去膜处理,得到去膜工件;对所述去膜工件进行日蚀处理,得到镀碳工件;对所述镀碳工件进行填孔电镀处理,得到成品工件;所述1027pp为压合后介厚厚度范围为30um‑40um的半固化片。2.根据权利要求1所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述使用1027pp压合,得到目标介厚工件,包括:以薄介厚为1027的半固化片作为工件的粘合层进行工件的压合,控制压合后的工件介厚范围,得到纵横比的比值小于阈值的目标介厚工件。3.根据权利要求2所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述纵横比为工件厚度与微盲孔直径的比例,且所述纵横比的比值的阈值,随成品工件的要求提高而减小。4.根据权利要求1所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述镭射钻孔处理包括:将所述目标介厚工件放入预设光圈的激光钻孔机中,对所述目标介厚工件进行铜面棕化,采用三枪成孔的方式,在所述目标介厚工件上制作盲孔。5.根据权利要求1所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述plasma清洗处理为1080P程式的等离子清洗,是以气体物质的等离子态轰击,将孔壁及底部的残胶除净的方法,且所述plasma的清洗时间根据盲孔的纵横比以及具体工件材质的除胶速率确定。6.根据权利要求1所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述去膜处理包括去除所述除胶工件表面的棕化层,以及清除所述除胶工件的板面异物,且所述除胶工件经所述去膜处理后要保留一定的铜厚。7.根据权利要求1所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述日蚀处理的步骤包括:中和,微蚀,除油和黑孔处理。8.根据权利要求1所述的用于MiniLED微盲孔的填孔电镀的加工方法,其特征在于:所述填孔电镀为VCP填孔电镀,电镀过程采用小电流长时间的方式进行,且所述VCP填孔电镀处理要在预设时间内完成。9.一种电子设备,其特征在于,包括:处理器;以及存储器,其上存储有可执行代码,当所述可执行代码被所述处理器执行时,使所述处理器执行如权利要求1‑8中任一项所述的方法。10.一种非暂时性机器可读存储介质,其上存储有可执行代码,当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时,使所述处理器执行如权利要求1‑8中任一项所述的方法。2CN113279034A说明书1/6页用于MiniLED微盲孔的填孔电镀加工方法技术领域[0001]本申请涉及LED孔的电镀加工技术领域,尤其涉及小间距MiniLED应用领域。背景技术[0002]相关技术中,小间距MiniLED定义为,芯片尺寸介于50~200μm的LED芯片,这种小间距MiniLED属于主动型自发光显示,对光的利用率相比于其他LED芯片更高。随着MiniLED芯片的发展趋势,同时伴随着小型化和集成度的提升,必然会导致盲孔数量和盲孔纵横比的大步提