一种半导体装置及其制备方法.pdf
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一种半导体装置及其制备方法.pdf
本发明涉及一种半导体装置及其制备方法,通过在所述第一、第二、第三、第四芯片的第一、第二、第三、第四沟槽中分别形成第一、第二、第三、第四盲孔,并在第五、第六、第七、第八芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四凸起,并在所述第一、第二、第三、第四凸起的侧表面分别形成贯穿穿孔,进而在后续的键合工艺中,在第一、第二、第三、第四沟槽中以及第一、第二、第三、第四盲孔中设置粘结材料,进而将第五、第六、第七、第八芯片分别对应设置在第一、第二、第三、第四沟槽中,并使得第一、第二、第三、第四凸起分别嵌入到相应的第一、第二
半导体装置及其制备方法.pdf
本发明提供一种半导体装置及其制备方法,在器件中加入负电容结构,实现了一种将逻辑器件与闪存结构在同一工艺平台制造的制备方法,具有设计和工艺简单,制造成本低的优点。本发明通过控制相应器件栅氧层和负电容介质层的厚度,控制嵌入式快闪存储器、逻辑核心器件及输入输出器件的等效负电容值的范围,可以使得所述嵌入式快闪存储器被控制工作在双稳态区域,从而实现稳定的闪存储存功能,所述逻辑核心器件和输入输出器件被控制工作在无迟滞态区域,从而实现逻辑器件功能。
一种半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供基底,在所述基底上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层以及位于所述栅极叠层之间的隔离结构;步骤S2:回蚀刻所述控制栅,以去除部分所述控制栅,以在所述控制栅的上方所述隔离结构之间形成凹槽;步骤S3:沉积金属材料层以填充所述凹槽并覆盖所述隔离结构;步骤S4:执行第一次退火步骤,以在所述控制栅的上方形成自对准硅化物层;步骤S5:蚀刻去除所述隔离结构上方未反应的所述金属材料层,同时去除部分所述自对准硅化物层至与所述隔离结构的顶部平齐
一种半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:选用NMP对半导体器件进行清洗,以去除所述半导体器件在蚀刻过程中形成的残留物;步骤S2:选用含有O
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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极,在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层;步骤S2:去除所述虚拟栅极,以露出所述虚拟栅极氧化物层;步骤S3:选用SiCoNi的方法去除所述虚拟栅极氧化物层,以露出所述鳍片;步骤S4:选用氮和氢等离子体去除所述鳍片表面上残留的含F副产物。通过所述方法不仅可以完全去除所述虚拟栅极氧化物层,降低对接触孔蚀刻停止层和层间介电层