一种半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105845547A(43)申请公布日2016.08.10(21)申请号201510021532.8(22)申请日2015.01.15(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人梁海慧(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人高伟冯永贞(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种半导体器件及其制备方法、电子装置(57)摘要本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：选用NMP对半导体器件进行清洗，以去除所述半导体器件在蚀刻过程中形成的残留物；步骤S2：选用含有O3的去离子水对所述半导体器件进行清洗，以去除所述步骤S1中残留的NMP微粒。本发明为了解决现有技术中存在的问题，选用NMP对半导体器件(例如NMOS中虚拟开口的侧壁)进行清洗之后，进一步选用含有O3的去离子水对所述半导体器件进行清洗，以代替现有技术中去离子水的清洗，通过所述方法不仅能够去除所述半导体器件在蚀刻过程中残留的聚合物，而且还能去除在NMP清洗过程中NMP微粒的残留，使半导体器件具有更好的轮廓，提高了所述半导体器件的性能和良率。CN105845547ACN105845547A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：选用NMP对半导体器件进行清洗，以去除所述半导体器件在蚀刻过程中形成的残留物；步骤S2：选用含有O3的去离子水对所述半导体器件进行清洗，以去除所述步骤S1中残留的NMP微粒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述含有O3的去离子中O3的浓度为1-100ppm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，选用所述含有O3的去离子水进行清洗时的转数为300-400rpm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，选用喷管混合模式对所述半导体器件进行清洗。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1和/或所述步骤S2中，所述清洗温度大于25℃。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，选用所述NMP进行清洗的转数为450-550rpm。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：步骤S3：对所述半导体器件进行离心干燥。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述离心干燥的转数为>1000rpm。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述半导体器件包括半导体衬底以及在所述半导体衬底上去除虚拟栅极之后形成的虚拟开口，选用所述NMP对所述虚拟开口的侧壁进行清洗。10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。2CN105845547A说明书1/6页一种半导体器件及其制备方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸、以提高它的速度来实现的。目前，追求高器件密度、高性能和低成本的半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，特别是当半导体器件尺寸降到更低纳米级别时，半导体器件的制备收到各种物理极限的限制。[0003]当半导体器件的尺寸降到更低纳米级别时，器件中栅极关键尺寸(gateCD)相应的缩小为24nm。随着技术节点的降低，传统的栅介质层不断变薄，晶体管漏电量随之增加，引起半导体器件功耗浪费等问题。为解决上述问题，同时避免高温处理过程，现有技术提供一种将高K金属栅极替代多晶硅栅极的解决方案。[0004]为了减小温度负载效应(thermalbudgeteffect)，目前“后栅极(high-K&gatelast)”工艺为形成高K金属栅极的一个主要工艺。使用“后栅极(high-K&gatelast)”工艺形成高K金属栅极的方法包括：提供基底，所述基底上形成有虚拟栅结构(dummygate)、及位于所述基底上覆盖所述虚拟栅结构的层间介质层；以所述虚拟栅结构作为停止层，对所述层间介质层进行化学机械抛光工艺；除去所述虚拟栅结构后形成沟槽；最后对所述沟槽填充高K介质和金属层，以形成高K金属栅。[0005]在高K金属栅制备过程中由于NMOS和PMOS具有不同的功函数层，因此需要先去除PMOS虚拟栅极、形成PMOS金属栅，然后再去除NMMOS虚拟栅极、形成NMOS金属栅极。[0006]通过对制备得到的器件进行检测发现，在去除虚拟栅极的过程中形成的所述虚拟开口