内容提供者
半导体装置及其制备方法.pdf
2023-05-31
10金币
1.5MB
15页
文阁****23
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共15页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
半导体装置及其制备方法.pdf
本发明提供一种半导体装置及其制备方法，在器件中加入负电容结构，实现了一种将逻辑器件与闪存结构在同一工艺平台制造的制备方法，具有设计和工艺简单，制造成本低的优点。本发明通过控制相应器件栅氧层和负电容介质层的厚度，控制嵌入式快闪存储器、逻辑核心器件及输入输出器件的等效负电容值的范围，可以使得所述嵌入式快闪存储器被控制工作在双稳态区域，从而实现稳定的闪存储存功能，所述逻辑核心器件和输入输出器件被控制工作在无迟滞态区域，从而实现逻辑器件功能。
2023-05-31
10
1.5MB
一种半导体装置及其制备方法.pdf
本发明涉及一种半导体装置及其制备方法，通过在所述第一、第二、第三、第四芯片的第一、第二、第三、第四沟槽中分别形成第一、第二、第三、第四盲孔，并在第五、第六、第七、第八芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四凸起，并在所述第一、第二、第三、第四凸起的侧表面分别形成贯穿穿孔，进而在后续的键合工艺中，在第一、第二、第三、第四沟槽中以及第一、第二、第三、第四盲孔中设置粘结材料，进而将第五、第六、第七、第八芯片分别对应设置在第一、第二、第三、第四沟槽中，并使得第一、第二、第三、第四凸起分别嵌入到相应的第一、第二
2023-06-27
10
600KB
半导体器件及其制备方法、电力变换装置.pdf
本公开提供一种半导体器件及其制备方法、电力变换装置。半导体器件包括：半导体层，具有彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，在第一侧表面上沿第一方向交替设置第一沟槽第二沟槽组，第二沟槽组包括1个第二沟槽或者包括沿第一方向排列的多个第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽均沿第二方向延伸，第一方向与第二方向平行于半导体层所处平面且彼此相交，与第一沟槽相邻的第二沟槽包括沿第二方向延伸的主体区域以及从主体区域朝向相邻第一沟槽方向凸出的枝节区域，主体区域同侧的枝节区域间隔设置，半导体层包括与第一沟槽相连的源区，源区位于第一沟槽与第二
2023-06-01
10
1.9MB
半导体薄膜制备装置及制备方法.pdf
本发明提供了一种半导体薄膜制备装置及制备方法，涉及半导体薄膜加工技术领域，主要目的是解决现有技术中存在的薄膜厚度较薄的技术问题。该半导体薄膜制备装置，包括：沿垂直方向设置的炉体、至少一个设置在所述炉体内部的蒸发源装置以及位于至少一个所述蒸发源装置上部的衬底；所述蒸发源装置位于所述炉体下端且至少一个所述蒸发源装置与所述衬底相对设置；所述炉体的上端设置有开口，真空泵通过所述开口与所述炉体相连并用于抽取所述炉体内部的气体。当该半导体薄膜制备装置启动时，蒸发源装置与衬底所在处均处于真空状态，位于蒸发源装置上的物料
2023-06-16
10
381KB
半导体装置的制备方法和半导体装置.pdf
本发明公开了一种半导体装置的制备方法和半导体装置，包括：提供第一衬底，并在第一衬底表面形成第一非金属键合材料层；提供第二衬底，并在第二衬底表面形成器件材料层；在器件材料层表面形成第二非金属键合材料层；将第二非金属键合材料层和第一非金属键合材料层进行键合形成非金属键合层；去除第二衬底；对器件材料层进行图形化刻蚀以获得含有至少一个半导体器件的器件层。本发明通过非金属键合方式，避免了金属键合后图形化刻蚀金属四溢以及清洗金属粒子残留导致的漏电问题，本发明通过非金属键合方式，形成了有效的刻蚀高选择比，增加了工艺窗口
2023-11-06
10
2.3MB