一种半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106531741A(43)申请公布日2017.03.22(21)申请号201510573964.X(22)申请日2015.09.10(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司(72)发明人刘焕新(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人高伟冯永贞(51)Int.Cl.H01L27/11517(2017.01)H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种半导体器件及其制备方法、电子装置(57)摘要本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层以及位于所述栅极叠层之间的隔离结构；步骤S2：回蚀刻所述控制栅，以去除部分所述控制栅，以在所述控制栅的上方所述隔离结构之间形成凹槽；步骤S3：沉积金属材料层以填充所述凹槽并覆盖所述隔离结构；步骤S4：执行第一次退火步骤，以在所述控制栅的上方形成自对准硅化物层；步骤S5：蚀刻去除所述隔离结构上方未反应的所述金属材料层，同时去除部分所述自对准硅化物层至与所述隔离结构的顶部平齐。所述方法可以使所述自对准硅化物具有良好的轮廓，进一步提高了半导体器件的性能和良率。CN106531741ACN106531741A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层以及位于所述栅极叠层之间的隔离结构；步骤S2：回蚀刻所述控制栅，以去除部分所述控制栅，以在所述控制栅的上方所述隔离结构之间形成凹槽；步骤S3：沉积金属材料层以填充所述凹槽并覆盖所述隔离结构；步骤S4：执行第一次退火步骤，以在所述控制栅的上方形成自对准硅化物层；步骤S5：蚀刻去除所述隔离结构上方未反应的所述金属材料层，同时去除部分所述自对准硅化物层至与所述隔离结构的顶部平齐。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S5之后还进一步包括步骤S6：执行第二退火步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述栅极叠层和所述隔离结构上方还形成有保护叠层，所述步骤S1还进一步包括：步骤S11：执行平坦化步骤，以使所述保护叠层具有平坦的表面；步骤S12：去除所述保护叠层，以露出所述栅极叠层和所述隔离结构。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中选用TMAH回蚀刻所述控制栅。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述TMAH的质量分数浓度为1-3％。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中回蚀刻所述控制栅以去除大于150埃的所述控制栅。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中在所述回蚀刻之前还进一步包括选用DHF进行蚀刻的步骤，以完全露出所述控制栅。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中在沉积所述金属材料层之前还进一步包括对所述凹槽进行清洗的步骤。9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。2CN106531741A说明书1/7页一种半导体器件及其制备方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术[0002]对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，还可以通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。[0003]NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于NAND闪存以页为单位读写数据，所以适合于存储连续的数据，如图片、音频或其他文件数据；同时因其成本低、容量大且写入速度快、擦除时间短的优点在移动通讯装置及便携式多媒体装置的存储领域得到广泛的应用。[0004]随着半导体器件尺寸的不断降低，NAND闪存中控制栅之间的隔离结构和控制栅上方的自对准硅化物NiPtSi的形成成为一大挑战。在NAND闪存制备过程中在形成浮栅和控制栅之后，通过调节控制栅自对准硅化物NiPtSi以得到目标图案，但是所述自对准硅化物NiPtSi轮廓的底部具有很大的问题，存在底部膨胀过大(swell)的问题，使得所述控制栅顶部具有很大的头部，影响了器件的性能和良率。[0005]因此需要对目前所述NAND器件的制备做进一