一种半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106158640A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201510158067.2H01L29/423(2006.01)(22)申请日2015.04.03(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人周飞(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人高伟冯永贞(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L21/28(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L29/10(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种半导体器件及其制备方法、电子装置(57)摘要本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极，以露出所述虚拟栅极氧化物层；步骤S3：选用SiCoNi的方法去除所述虚拟栅极氧化物层，以露出所述鳍片；步骤S4：选用氮和氢等离子体去除所述鳍片表面上残留的含F副产物。通过所述方法不仅可以完全去除所述虚拟栅极氧化物层，降低对接触孔蚀刻停止层和层间介电层的蚀刻损失，还可以解决含F污染物残留的问题，进一步提高了器件的迁移率和可靠性。CN106158640ACN106158640A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极，在所述半导体衬底上还形成有填充相邻所述虚拟栅极之间间隙的层间介电层；步骤S2：去除所述虚拟栅极，以露出所述虚拟栅极氧化物层；步骤S3：选用SiCoNi的方法去除所述虚拟栅极氧化物层，以露出所述鳍片；步骤S4：选用氮和氢等离子体去除所述鳍片表面上残留的含F副产物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，选用氮和氢弱等离子体去除所述鳍片表面上残留的含F副产物。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，选用NF3和NH3等离子体去除所述鳍片表面上残留的含F副产物。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，选用所述氮和氢等离子体去除所述含F副产物的温度大于100℃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：步骤S5：通过化学氧化的方法在所述鳍片的表面形成界面层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述界面层之后，还进一步包括选用SC1清洗液对所述界面层进行清洗的步骤，以在所述界面层上形成富含OH键的结构。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：步骤S6：沉积高K介电层，以覆盖所述界面层；步骤S7：在所述高K介电层上形成金属栅极。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：步骤S11：提供半导体衬底并执行离子注入，以形成阱；步骤S12：图案化所述半导体衬底，形成所述鳍片；步骤S13：沉积虚拟栅极氧化物层和虚拟栅极材料层并图案化，以形成所述虚拟栅极。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤S1还进一步包括：步骤S14：执行源漏LDD注入，并在虚拟栅极两侧的所述半导体衬底上外延生长半导体材料层，以形成抬升源漏；步骤S15：再次执行离子注入，并进行快速热退火；步骤S16：沉积所述层间介电层并平坦化，以填充所述虚拟栅极之间的间隙。10.一种如权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。2CN106158640A说明书1/7页一种半导体器件及其制备方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于高器件密度、高性能和低成本的需求，半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。[0003]随着CMOS器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，FinFET中的栅极环绕鳍片(鳍形沟道)设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的