电路板水平沉铜去胶工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113652677A(43)申请公布日2021.11.16(21)申请号202110873839.6(22)申请日2021.07.30(71)申请人江门市浩远电子科技有限公司地址529080广东省江门市江海区高新区邦民路11号(72)发明人吴年升赖俊崇(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205代理人廖华均(51)Int.Cl.C23C18/40(2006.01)C23C18/20(2006.01)H05K3/42(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称电路板水平沉铜去胶工艺(57)摘要本发明公开了一种电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送，依次经过以下处理步骤：膨松、除胶、预中和、中和、清洁、微蚀、活化、还原、沉铜，最后经过风干后出板，得到电路板。本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺所得镀层具有绝佳的镀层覆盖能力，采用本发明的水平沉铜去胶可以使内层铜与孔铜具有较佳的结合力，获得优良可靠的化学铜沉积层，对于盲孔、通孔均能沉积良好的化学铜层。此外，本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送进行各个加工步骤，自动化程度高，工人工作强度低，水平输送也便于对系统进行密封，减少对周边环境的影响。CN113652677ACN113652677A权利要求书1/1页1.一种电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述电路板基材沿输送带水平输送，依次经过以下处理步骤：膨松，在超声条件下，使用膨松液对基材进行膨松处理，超声功率为80‑100W，膨松温度为75‑85℃，膨松时间为50‑80S，水洗，得膨松处理后基材；除胶，在超声条件下，使用除胶液对膨松处理后基材进行除胶处理，超声功率为80‑100W，除胶温度为80‑90℃，除胶电流为800‑1500A，除胶时间为120‑160S，水洗，得除胶处理后基材；预中和，使用中和液对除胶处理后基材进行预中和处理，预中和温度为室温，预中和时间为5‑10S，水洗，得预中和处理后基材；中和，在超声条件下，使用中和液对预中和处理后基材进行中和处理，超声功率为80‑100W，中和温度为45‑51℃，中和时间为30‑40S，水洗，得中和处理后基材；清洁，在超声条件下，使用调整液对中和处理后基材进行第一次清洁处理，超声功率为80‑100W，清洁温度为45‑55℃，第一次清洁时间为30‑40S，水洗；在超声条件下，使用中和液对第一次清洁后的基材进行第二次清洁处理，超声功率为80‑100W，清洁温度为46‑51℃，第一次清洁时间为20‑30S，水洗，得清洁处理后基材；微蚀，使用微蚀液对清洁处理后基材进行微蚀处理，微蚀温度为28‑32℃，微蚀时间为50‑60S，水洗，得微蚀处理后基材；活化，使用活化液对微蚀处理后基材进行活化处理，活化温度为47‑53℃，活化时间为40‑50S，水洗，得活化处理后基材；还原，使用还原液对活化处理后基材进行还原处理，还原温度为33‑37℃，还原时间为35‑45S，水洗，得还原处理后基材；沉铜，将还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，沉铜温度为30‑36℃，预接触电压为2.5V，沉铜时间为180‑300S，水洗，风干，出板，得到电路板。2.根据权利要求1所述的电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述基材在活化步骤前先进行预浸，使用活化液对微蚀处理后基材进行预浸处理，预浸温度为室温，预浸时间为10‑20S，预浸处理后的基材进入活化步骤。3.根据权利要求1所述的电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述水平沉铜液包括有：85‑115份的化铜基本剂，7‑11份的化铜稳定剂，45‑55份的化铜添加剂，13‑21份的化铜还原剂。4.根据权利要求3所述的电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述水平沉铜液包括有100份的化铜基本剂，9份的化铜稳定剂，50份的化铜添加剂，17份的化铜还原剂。5.根据权利要求3或4所述的电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，往纯水中按份量依次添加所述化铜基本剂、所述化铜稳定剂、所述化铜添加剂和所述化铜还原剂，加热到30‑36℃，得到水平沉铜液。6.根据权利要求3或4所述的电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述水平沉铜液中包括有氢氧化钠溶液。7.根据权利要求1所述的电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述微蚀液包括80‑120份的过硫酸钠，以及15‑40份的硫酸。2CN113652677A说明书1/5页电路板水平沉铜去胶工艺技术领域[0001]本发明涉及电路板加工领域，特别涉及一种电路板水平沉铜去胶工艺。背景技术[0002]在电路板制造技术中，其中一个关键步骤是沉铜工序。它主要的作用就是使双面和多层印制电路板的非金属孔，通过氧化还原反应在孔壁上沉