PCB沉铜工艺及其沉铜架.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113416948A(43)申请公布日2021.09.21(21)申请号202110650085.8(22)申请日2021.06.10(71)申请人金禄电子科技股份有限公司地址511518广东省清远市高新技术开发区安丰工业园盈富工业区M1-04，05A号地(72)发明人伍海霞梅佳月周文光(74)专利代理机构惠州知侬专利代理事务所(普通合伙)44694代理人罗佳龙(51)Int.Cl.C23C18/38(2006.01)H05K3/42(2006.01)H05K3/18(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图4页(54)发明名称PCB沉铜工艺及其沉铜架(57)摘要本申请提供一种PCB沉铜工艺及其沉铜架。上述的PCB沉铜架包括母篮和子篮，母篮包括第一支架、底座、第二支架及固定杆，第一支架与底座连接，第二支架与底座远离第一支架的一端连接，固定杆分别与第一支架及第二支架连接；子篮包括篮体和悬挂件，悬挂件连接于篮体的一侧，悬挂件用于与固定杆可拆卸挂接，篮体开设有定位凹槽，定位凹槽用于放置PCB。上述的PCB沉铜架操作更加简便且能够减少或避免PCB上下板擦花问题。CN113416948ACN113416948A权利要求书1/1页1.一种PCB沉铜架，其特征在于，所述沉铜架包括母篮和子篮，所述母篮包括第一支架、底座、第二支架及固定杆，所述第一支架与所述底座连接，所述第二支架与所述底座远离所述第一支架的一端连接，所述固定杆分别与所述第一支架及所述第二支架连接；所述子篮包括篮体和悬挂件，所述悬挂件连接于所述篮体的一侧，所述悬挂件用于与所述固定杆可拆卸挂接，所述篮体开设有定位凹槽，所述定位凹槽用于放置所述PCB。2.根据权利要求1所述的PCB沉铜架，其特征在于，所述子篮还包括提手环，所述提手环与所述篮体连接。3.根据权利要求1所述的PCB沉铜架，其特征在于，所述篮体开口处的宽度大于所述篮体底部的宽度。4.一种PCB沉铜工艺，其特征在于，采用权利要求1至3中任一项所述的PCB沉铜架对所述PCB进行沉铜操作，所述PCB沉铜工艺包括以下步骤：将所述PCB放置在所述子篮中；将所述母篮固定在沉铜线上；将装有所述PCB的所述子篮挂入所述母篮中；对所述PCB进行预处理操作，得到预处理PCB；对所述预处理PCB进行沉铜操作，得到沉铜PCB；将所述子篮从所述母篮中卸下，并对所述子篮中的所述沉铜PCB进行更换操作。5.根据权利要求4所述的PCB沉铜工艺，其特征在于，在将PCB放置在子篮中的步骤之后，以及在将母篮固定在沉铜线上的步骤之前，所述PCB沉铜工艺还包括以下步骤：对所述PCB进行冲洗操作。6.根据权利要求4所述的PCB沉铜工艺，其特征在于，在将PCB放置在子篮中的步骤之后，以及在将母篮固定在沉铜线上的步骤之前，所述PCB沉铜工艺还包括以下步骤：对所述PCB进行除油操作。7.根据权利要求4所述的PCB沉铜工艺，其特征在于，所述预处理操作具体包括以下步骤：对所述PCB进行微蚀操作，得到微蚀PCB；对所述微蚀PCB进行酸洗操作，得到酸洗PCB；对所述酸洗PCB进行预浸操作，得到预浸PCB；对所述预浸PCB进行活化操作，得到活化PCB；对所述活化PCB进行加速操作，得到加速PCB；对所述加速PCB进行水洗操作，得到待沉铜PCB。8.根据权利要求7所述的PCB沉铜工艺，其特征在于，所述预浸操作中的温度为15℃～25℃。9.根据权利要求7所述的PCB沉铜工艺，其特征在于，所述活化操作中的温度为25℃～35℃。10.根据权利要求7所述的PCB沉铜工艺，其特征在于，所述活化操作包括第一次活化操作和第二次活化操作，且所述第一次活化操作中的活化强度大于所述第二次活化操作中的活化强度。2CN113416948A说明书1/10页PCB沉铜工艺及其沉铜架技术领域[0001]本发明涉及印刷电路板技术领域，特别是涉及一种PCB沉铜工艺及其沉铜架。背景技术[0002]化学镀铜(EletcrolessPlatingCopper)通常也叫沉铜或孔化(PTH)是一种自身催化性氧化还原反应，被广泛应用于有通孔的印制线路板(PrintedCircuitBoard，简称PCB)的生产加工中，印刷线路板的制作包括焊盘、过孔、阻焊层、丝印层、沉铜等部分的工序。沉铜技术被广泛应用于有通孔的印制线路板的生产加工中，沉铜主要是一种利用化学反应将铜镀在板上的技术，在已钻孔的不导电的孔壁基材上，采用化学的方法沉积上一层薄薄的铜，以作为后面电镀铜的基底。[0003]PCB沉铜流程中除上板和下板外，均需要在药水缸中进行，各药水缸所添加的药水根据其功能而定。在此过程中，沉铜架作为PCB的运载工具将PCB按照沉铜流程依次浸入到药水缸内，反应