一种高精密Mini-LED板电测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114137383A(43)申请公布日2022.03.04(21)申请号202210117129.5(22)申请日2022.02.08(71)申请人广东科翔电子科技股份有限公司地址516083广东省惠州市大亚湾西区龙山八路9号(72)发明人颜怡锋陈子濬王欣(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人邓聪权(51)Int.Cl.G01R31/26(2014.01)G01R31/54(2020.01)G01R1/04(2006.01)G01R1/067(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称一种高精密Mini-LED板电测方法(57)摘要本发明公开了一种高精密Mini‑LED板电测方法，包括以下步骤：S1.1、转接板基板；S1.2、钻孔；S1.3、单面减铜棕化；S1.4、镭射：在所述第一转接板基板的上端面进行镭射出至少两个第一盲孔；S1.5、单面沉铜电镀：在所述第一转接板基板的上端面进行沉铜电镀；S1.6、蚀刻底座与焊盘：在所述第一转接板基板的下端面蚀刻出至少两个底座；在所述第一转接板基板的上端面蚀刻出至少两个第一焊盘，所述底座与所述第一焊盘通过所述第一盲孔桥接；S3.1、形成转接板；S4、电测。本发明的步骤设计合理，通过转接板将焊盘尺寸由60x100微米，放大到300微米，便于普通飞针机测量。CN114137383ACN114137383A权利要求书1/2页1.一种高精密Mini‑LED板电测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.1、转接板基板：提供转接板基板，所述转接板基板为上、下端面都有铜箔的覆铜板；S1.2、钻孔：所述转接板基板包括第一转接板基板（1），在所述第一转接板基板（1）上钻出定位孔；S1.3、单面减铜棕化：在所述第一转接板基板（1）的上端面进行减铜棕化；S1.4、镭射：在所述第一转接板基板（1）的上端面进行镭射出至少两个第一盲孔（101）；S1.5、单面沉铜电镀：在所述第一转接板基板（1）的上端面进行沉铜电镀；S1.6、蚀刻底座与焊盘：在所述第一转接板基板（1）的下端面蚀刻出至少两个底座（102），所述底座（102）的尺寸、位置与待测Mini‑LED板（3）的Mini‑LED焊盘（301）的尺寸、位置一致；在所述第一转接板基板（1）的上端面蚀刻出至少两个第一焊盘（103），所述底座（102）与所述第一焊盘（103）通过所述第一盲孔（101）桥接；S3.1、形成转接板：所述转接板基板经过上述步骤加工后形成转接板；S4、电测：在所述转接板的底座（102）与待测Mini‑LED板（3）的Mini‑LED焊盘（301）之间进行通电测试。2.根据权利要求1所述一种高精密Mini‑LED板电测方法，其特征在于，在步骤S1.1中，所述转接板基板：采用H‑TGFR4材料，铜厚H/H。3.根据权利要求1所述一种高精密Mini‑LED板电测方法，其特征在于，在步骤S1.3中，在所述第一转接板基板（1）的上端面进行减铜棕化的厚度为7‑9微米；在步骤S1.4中，在所述第一转接板基板（1）的上端面进行镭射出的第一盲孔（101）的孔径控制在90±10微米；在步骤S1.5中，所述第一转接板基板（1）的上端面的电镀铜厚为20微米，所述第一盲孔（101）的凹陷控制在5微米以内；在步骤S1.6中，在所述第一转接板基板（1）的下端面蚀刻出的底座（102）的尺寸为长60微米、宽10微米；在所述第一转接板基板（1）的上端面蚀刻出的第一焊盘（103）为直径150微米的圆形焊盘；两个所述第一焊盘（103）边与边之间的距离为50微米，该距离与所述待测Mini‑LED板（3）的Mini‑LED焊盘（301）间距一致。4.根据权利要求1所述一种高精密Mini‑LED板电测方法，其特征在于，在步骤S1.6中，在所述第一转接板基板（1）上进行蚀刻时采用湿法贴膜、杜邦8630干膜。5.根据权利要求1到4任一项所述一种高精密Mini‑LED板电测方法，其特征在于，在步骤S1.6与步骤S3.1之间具有以下步骤：S2.1、压合：所述转接板基板还包括第二转接板基板（2），所述第二转接板基板（2）设于所述第一转接板基板（1）的上端面，所述第二转接板基板（2）与第一转接板基板（1）之间采用半固化片进行压合；S2.2、钻孔：在所述第二转接板基板（2）上钻出定位孔；S2.3、单面减铜棕化：在所述第二转接板基板（2）的上端面进行减铜棕化；S2.4、单面镭射：在所述第二转接板基板（2）的上端面进行镭射出至少两个第二盲孔（201）；S2.5、沉铜电镀：在所述第二转接板基板（2）的上端面进行沉铜电镀；S2.6、单面蚀刻焊盘：在所述第二转接板基板（2）的上端面蚀刻出至少两个