一种半导体的封装方法及封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114823360A(43)申请公布日2022.07.29(21)申请号202210406106.6H03H9/64(2006.01)(22)申请日2022.04.18(71)申请人华天科技（南京）有限公司地址211805江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号(72)发明人巫碧勤陈兴隆庞宝龙(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200专利代理师马贵香(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/552(2006.01)H01L25/16(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种半导体的封装方法及封装结构(57)摘要本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种半导体的封装方法及封装结构。包括以下步骤：在基底上开设若干盲孔和若干通孔；在基底底面贴装若干无源器件和若干第二芯片；在基底顶面上贴装若干第一芯片、SAW滤波器和若干无源器件，在每个SAW滤波器下方都安装一个IDT功能区域；在顶面上方包裹一层光敏感材料膜，使每个SAW滤波器底部形成空腔结构；去除顶面通孔上的光敏感材料膜使通孔重新外露；采用塑封工艺处理基底，塑封完成后，去除固定盖，转序切割成单颗产品；在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层。本发明通过在基底顶面的塑封体表面进行金属镀层工艺，可屏蔽不同频段电磁波之间的相互干扰，提高工作稳定性。CN114823360ACN114823360A权利要求书1/1页1.一种半导体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底(5)上开设若干盲孔(8)和若干通孔(3)；在基底(5)底面贴装若干无源器件(4)和若干第二芯片(15)；在基底(5)顶面上贴装若干第一芯片(1)、SAW滤波器(2)和若干无源器件(4)，在每个SAW滤波器(2)下方设置有IDT功能区域(6)；在基底(5)顶面上方包裹一层光敏感材料膜(7)，使每个SAW滤波器(2)底部形成空腔(9)结构；去除顶面通孔(3)上的光敏感材料膜(7)使通孔(3)重新外露；采用塑封工艺处理基底(5)，塑封完成后，转序切割成单颗产品；在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层(12)。2.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，在基底(5)顶面上贴装元器件时，先在基底(5)底面下方安装一个固定盖(14)。3.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述盲孔(8)设置在基底(5)的顶面和底面用于放置第一芯片(1)、第二芯片(15)或SAW滤波器(2)，所述通孔(3)设置在基底(5)的两侧边缘位置，用于在塑封工艺处理基底(5)时，使塑封料(13)溢流在基底(5)两侧。4.根据权利要求2所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述固定盖(14)为U形，底面水平，两侧宽度与基底(5)相同。5.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述光敏感材料膜(7)采用真空层压覆膜工艺安装。6.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述光敏感材料膜(7)由聚酰亚胺制成。7.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，在单颗产品的顶面进行金属镀膜时采用PVD金属镀膜工艺。8.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述金属镀层(12)为不锈钢、铝或铜。9.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述基底(5)由低温共烧陶瓷工艺制成。10.一种半导体的封装结构，基于权利要求1‑9任一项所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，包括基底(5)，所述基底(5)两侧设有若干通孔(3)，所述基底(5)顶面和底面设有若干盲孔(8)，所述基底(5)底面设有若干第二芯片(15)和无源器件(4)，所述基底(5)顶面设有若干第一芯片(1)、无源器件(4)和SAW滤波器(2)，每个SAW滤波器(2)下方均设有IDT功能区域(6)；所述顶面上方包裹一层光敏感材料膜(7)，所述每个IDT功能区域(6)下方都设有空腔(9)，所述基底(5)包裹在塑封料(13)中，所述基底(5)顶面上方设有金属镀层(12)。2CN114823360A说明书1/4页一种半导体的封装方法及封装结构技术领域[0001]本发明属于半导体器件‑功率放大器制造技术领域，具体涉及一种半导体的封装方法及封装结构。背景技术[0002]功率放大器(PowerAmplifier，简称PA)是一部手机最关键的器件之一，它直接决定了手机无线通信的距离、信号质量，甚至待机时间，是整个射频系统中除基带外最重要的部分。手机里面功率放大器的数量随着2G、3G、4G、5G逐渐增加，所需的功率放大器芯片