一种微盲孔镭射对位方法及系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114885504A(43)申请公布日2022.08.09(21)申请号202210518223.1(22)申请日2022.05.12(71)申请人广州美维电子有限公司地址510663广东省广州市高新技术产业开发区科学城新乐路一号(72)发明人陈俭云白杨何亚志张锦锋符唐盛邓朝松(74)专利代理机构广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288专利代理师成婵娟(51)Int.Cl.H05K3/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种微盲孔镭射对位方法及系统(57)摘要本发明公开了一种微盲孔镭射对位方法及系统，所述方法包括以下步骤：通过镭射机去除印制板的内层对位靶标上的表铜以及第一设定厚度的第一树脂介质层，所述对位靶标上覆盖有第二设定厚度的第二树脂介质层；根据所述第二树脂介质层，通过曝光机抓取所述对位靶标位置并制作出盲孔开口图像；根据所述盲孔开口图像，通过镭射机烧蚀第二树脂介质层，得到与所述盲孔开口图像一致的盲孔。本发明通过在制作盲孔开口图像时，根据所述对位靶标位置进行对位，制作出盲孔开口图像，实现了盲孔精确定位；同时，在盲孔显影后，只需在第二树脂介质层上通过小能量烧蚀成孔，不会使盲孔孔径偏大，保证了盲孔品质。CN114885504ACN114885504A权利要求书1/1页1.一种微盲孔镭射对位方法，其特征在于，包括以下步骤：通过镭射机去除印制板的内层对位靶标上的表铜以及第一设定厚度的第一树脂介质层，所述对位靶标上覆盖有第二设定厚度的第二树脂介质层；根据所述第二树脂介质层，通过曝光机抓取所述对位靶标位置并制作出盲孔开口图像；根据所述盲孔开口图像，通过镭射机烧蚀第二树脂介质层，得到与所述盲孔开口图像一致的盲孔。2.根据权利要求1所述的微盲孔镭射对位方法，其特征在于，在通过镭射机烧蚀第二树脂介质层时，所述镭射机发射出的激光能量不烧蚀所述第二树脂介质层周围的表铜。3.根据权利要求1所述的微盲孔镭射对位方法，其特征在于，所述镭射机为紫外镭射机,所述镭射机发出的激光波长为355nm。4.根据权利要求1所述的微盲孔镭射对位方法，其特征在于，所述盲孔的直径小于50um。5.根据权利要求1所述的微盲孔镭射对位方法，其特征在于，所述根据所述第二树脂介质层，通过曝光机抓取所述对位靶标位置并制作出盲孔开口图像，包括：透过所述第二树脂介质层，对准所述对位靶标，在所述对位靶标位置处贴附干膜，显影出盲孔开口图像。6.根据权利要求5所述的微盲孔镭射对位方法，其特征在于，所述显影出盲孔开口图像步骤后，还包括：清洗烘干所述盲孔处的干膜残留。7.一种微盲孔镭射对位系统，其特征在于，包括镭射机和曝光机；所述镭射机，用于去除印制板的内层对位靶标上的表铜以及第一设定厚度的第一树脂介质层，所述对位靶标上覆盖有第二设定厚度的第二树脂介质层；所述曝光机，用于根据所述第二树脂介质层，通过曝光机抓取所述对位靶标位置并制作出盲孔开口图像；并根据所述盲孔开口图像，通过镭射机烧蚀第二树脂介质层，得到与所述盲孔开口图像一致的盲孔。8.根据权利要求7所述的微盲孔镭射对位系统，其特征在于，所述镭射机发射出的激光能量在烧蚀第二树脂介质层时，不烧蚀所述第二树脂介质层周围的表铜。9.根据权利要求7所述的微盲孔镭射对位系统，其特征在于，所述镭射机为紫外镭射机,所述镭射机发出的激光波长为355nm。10.根据权利要求7所述的微盲孔镭射对位系统，其特征在于，所述盲孔的直径小于50um。2CN114885504A说明书1/6页一种微盲孔镭射对位方法及系统技术领域[0001]本发明涉及印制板技术领域，具体涉及一种微盲孔镭射对位方法及系统。背景技术[0002]随着电子产品向小体积高性能的发展趋势，PCB印制线路板的盲孔设计得越来越小，当盲孔非常小时，既要成孔品质好，又要成孔位置精度高，则非常困难，在SiP、异构集成也会有同样的问题。[0003]常规的LDD镭射直接成孔法，制作出来的盲孔虽然位置精度很高，但品质很差；这主要是因为虽然LDD工艺在镭射时先烧蚀对位靶标上的表铜及介质层，识别下层图形上的对位Pad，实现镭射和下层图形的对位一致性，即镭射和下层图形为同一对位系统；但是镭射机要使用高能量的大光斑烧蚀3‑6um的表铜，然后再用低能量烧蚀其下的树脂介质层形成盲孔，烧蚀表铜时高热量的热烧蚀效果也影响到盲孔开口四周表铜下面的树脂介质层，盲孔开口四周的表铜和树脂介质层之间产生比较大的缝隙或过度的树脂损伤。一方面，即使表铜盲孔开口尺寸符合要求，但实际上盲孔开口处树脂孔壁实际尺寸超过规格要求；另一方面盲孔开口四周过大的基铜与树脂间缝隙影响沉铜电镀和盲孔的可靠性。因此，LDD成孔工艺虽然能实现镭射和下层图形精准对位，但