一种嵌埋倒装芯片封装基板及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115579296A(43)申请公布日2023.01.06(21)申请号202211042694.6(22)申请日2022.08.29(71)申请人珠海越亚半导体股份有限公司地址519175广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房(72)发明人陈先明林文健黄高黄本霞(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403专利代理师李翔(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L23/498(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称一种嵌埋倒装芯片封装基板及其制作方法(57)摘要本申请提供一种嵌埋倒装芯片封装基板及其制作方法，包括以下步骤：提供载板；在载板的上表面制备第一线路层，在第一线路层上层压第一介质层；在第一介质层上形成第一开窗，并在第一开窗内填充第一铜柱；在第一介质层上形成第二开窗，在第二开窗上安装倒装芯片；在第一介质层上依次叠放封装层和第二介质层，其中第二介质层的上表面覆盖有第一金属层；压合封装层和第二介质层，封装层包封第一铜柱与倒装芯片，并固化封装层；对第一金属层、第二介质层以及封装层开孔，形成层间导通盲孔；在第一金属层的上表面形成第二线路层；移除载板，得到封装基板。本申请减少封装工艺的封装流程，节省成本，封装过程中对封装基板有效保护，防止翘曲变形。CN115579296ACN115579296A权利要求书1/2页1.一种嵌埋倒装芯片封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供载板；在所述载板的上表面制备第一线路层，在所述第一线路层上层压第一介质层；(b)在所述第一介质层上形成第一开窗，并在所述第一开窗内填充第一铜柱，使所述第一铜柱与第一线路层电连接；(c)在所述第一介质层上形成第二开窗，在所述第二开窗上安装倒装芯片，使得所述第一线路层与所述倒装芯片的端子通过所述第二开窗电连接；(d)在所述第一介质层上依次叠放封装层和第二介质层，其中所述第二介质层在远离所述封装层的上表面上覆盖有第一金属层；(e)压合所述封装层和所述第二介质层，使得封装层包封所述第一铜柱与所述倒装芯片，并固化所述封装层；(f)对所述第一金属层、所述第二介质层以及所述封装层开孔，形成层间导通盲孔，其中所述层间导通盲孔暴露出所述第一铜柱的上表面；(g)在所述第一金属层的上表面形成第二线路层，其中所述第二线路层通过第一铜柱与所述第一线路层电连接；(h)移除所述载板，得到所述封装基板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(a)包括：在所述载板的上表面制备第二金属层，在所述第二金属层的上表面制备第三金属层，其中，所述第二金属层与所述第三金属层彼此物理压合并且可通过物理撕拉方式实现分离。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(b)包括：(b1)使用激光钻孔处理所述第一介质层，形成第一开窗，其中所述第一开窗暴露所述第一线路层；(b2)在所述第一介质层的上表面与所述第一开窗中通过化学镀铜或者物理溅射的方式制备第一金属种子层；(b3)在所述第一金属种子层的上表面制备抗镀干膜层，并对所述第一开窗上方的抗镀干膜进行曝光显影，显影得出所述第一铜柱的开窗图形，电镀所述开窗图形，形成所述第一铜柱；(b4)褪除所述抗镀干膜层，并蚀刻覆盖在所述第一介质层上表面的所述第一金属种子层；其中所述第一铜柱通过所述第一金属种子层与所述第一线路电连接。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)包括：(c1)使用激光钻孔处理所述第一介质层，形成第二开窗，其中所述第二开窗暴露所述第一线路层；(c2)所述倒装芯片的端子插入所述第二开窗，通过回流焊连接所述第一线路层，实现所述倒装芯片与所述第一线路层电连接。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(e)包括：(e1)在所述封装层的上表面制备第二介质层，其中所述第二介质层被配置为与所述第一介质层的厚度相同；2CN115579296A权利要求书2/2页(e2)在所述第二介质层的上表面制备第一金属层；(e3)真空压膜机压合所述封装层、所述第二介质层和所述第一金属层，并进行固化处理，其中，所述第一铜柱与所述倒装芯片均嵌埋在所述封装层内部。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(g)包括：通过化学镀铜或者物理溅射的方式在所述第一金属层的表面形成第二金属种子层，其中所述第二金属种子层覆盖所述层间导通盲孔；在所述第二金属种子层上形成所述第二线路层；蚀刻所述第二金属种子层与所述第一金属层；其中所述第二电路层通过所述第二金属种子层与所述第一铜柱电连接。7.根据权利要求2所述的