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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915612A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211328248.1(22)申请日2022.10.27(71)申请人南通越亚半导体有限公司地址226000江苏省南通市崇川区福禧路349号(72)发明人陈先明宝玥张婉杨崇铭张林伟李强张威张治军(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403专利代理师李翔(51)Int.Cl.H05K3/00(2006.01)H05K3/18(2006.01)H05K3/46(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称用于嵌埋器件封装的基板结构及其制作方法(57)摘要本申请提供一种嵌埋器件封装基板结构及其制备方法。其中,嵌埋器件封装基板结构的制作方法,包括:(a)准备承载板;(b)在所述承载板上形成贯穿所述承载板的导通孔;(c)对所述承载板进行填孔电镀和表面电镀,在所述导通孔中形成导通柱,在所述承载板的上表面和下表面分别形成第一金属层和第二金属层;(d)在所述承载板的上表面和下表面进行图案蚀刻,形成暴露出所述绝缘层的口框图案;(e)在所述第一金属层和所述第二金属层的表面分别层压第一介质层和第二介质层;(f)沿所述口框图案切割,得到具有口框的基板结构。该方法能够改善基板翘曲,使得介质层表面平整,方便后续制作线路层,提升良率。CN115915612ACN115915612A权利要求书1/1页1.一种用于嵌埋器件封装的基板结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)准备包含绝缘层的承载板;(b)在所述承载板上形成贯穿所述承载板的导通孔;(c)对所述承载板进行填孔电镀和表面电镀,在所述导通孔中形成导通柱,在所述承载板的上表面和下表面分别形成第一金属层和第二金属层;(d)在所述承载板的上表面和下表面进行图案蚀刻,形成暴露出所述承载板的绝缘层的口框图案;(e)在所述第一金属层和所述第二金属层的表面分别层压第一介质层和第二介质层;(f)沿所述口框图案切割,得到具有口框的基板结构。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(b)还包括:通过激光或机械钻孔,在所述承载板的上表面和下表面同时进行对钻形成所述导通孔。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一介质层和所述第二介质层选自不含玻纤的绝缘材料,以使切割后得到的口框具有平整的表面。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述不含玻纤的绝缘材料选自ABF树脂或者光敏树脂。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在步骤(e)之后,步骤(f)之前,还包括步骤:对所述第二介质层进行减薄处理,暴露出所述第二金属层。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(a)中,所述承载板为双面覆铜板,所述双面覆铜板包括在绝缘层的上表面和下表面分别覆盖的第一铜层和第二铜层。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:在所述第一介质层上形成线路层。8.一种用于嵌埋器件封装的基板结构,其特征在于,所述基板采用如权利要求1‑7中任一项所述的方法制备。2CN115915612A说明书1/6页用于嵌埋器件封装的基板结构及其制作方法技术领域[0001]本申请涉及电子器件封装技术领域,尤其涉及一种用于嵌埋器件封装的基板结构及其制作方法。背景技术[0002]当前嵌埋器件封装基板,一般都是预先制备口框,再在口框内填入芯片或电容电阻类无源器件,再使用树脂材料封装起来,最后进行增层制作。[0003]现有技术方案中,最常见的口框制备方法分三种类型:一是从覆铜板(CCL)起始制备口框;二是采用无芯(coreless)流程,使用铜柱为蚀刻通道制备口框;三是采用金属材料(一般是铜)作为框架,通过蚀刻或机械方式制备口框。[0004]其中,使用CCL起始的方案是通过机械锣或者激光方式预先在CCL上制备好口框。无芯流程采用在绝缘框架上形成贯通铜柱后压合PP等介质层再磨板露出铜柱的方法,再通过选择性蚀刻把圈形铜柱蚀刻掉得到口框。这些方法中,常规CCL起始方案容易导致基板整体不平整和翘曲等问题;无芯基板流程复杂,成本高,同时由于压合PP后采用磨板控制厚度,而磨板会导致PP中的玻纤暴露严重,影响后续线路的制作,同时磨板会导致基板整体发生翘曲问题,影响后续的制作。采用金属框架制备口框存在制作成本高,加工难度大等问题。发明内容[0005]有鉴于此,本申请的目的在于提出一种从诸如CCL的常规承载板起始,但不会造成基板整体不平整和翘曲等问题的基板结构的制作方法。[0006]基于上述目的,本申请提供了一种用于嵌埋器件封装的基板结构的制作方法,包括如下步骤:[0007](a)准备包含绝缘层的承载板;[0008](b)在所述承载板上形成贯穿所述承载板的导通孔;[0009](c)对所述承载