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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115799073A(43)申请公布日2023.03.14(21)申请号202211229454.7(22)申请日2022.10.09(71)申请人珠海越亚半导体股份有限公司地址519175广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房(72)发明人陈先明韩少若林文健黄本霞黄高(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403专利代理师李翔(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称嵌埋器件封装基板及其制作方法(57)摘要本申请提供一种嵌埋器件封装基板及其制作方法,所述方法包括:a)提供金属基板,所述金属基板包括相对的第一表面和第二表面;b)蚀刻所述第一表面和所述第二表面,形成第一盲孔和贯穿所述金属基板的口框;c)在所述第二表面设置粘合层,将器件置入所述口框,并使所述器件贴附在所述粘合层上;d)在所述第一表面上层压绝缘材料,得到第一绝缘层;e)移除所述粘合层;f)蚀刻所述第二表面,形成第二盲孔,其中所述第一盲孔和所述第二盲孔彼此贯通形成通孔,所述通孔围绕所述金属基板使得在所述金属基板中形成孤立焊盘;g)在所述第二表面上层压绝缘材料,得到第二绝缘层。CN115799073ACN115799073A权利要求书1/1页1.一种嵌埋器件封装基板制作方法,包括:a)提供金属基板,所述金属基板包括相对的第一表面和第二表面;b)蚀刻所述第一表面和所述第二表面,形成第一盲孔和贯穿所述金属基板的口框;c)在所述第二表面设置粘合层,将器件置入所述口框,并使所述器件贴附在所述粘合层上;d)在所述第一表面上层压绝缘材料,得到第一绝缘层;e)移除所述粘合层;f)蚀刻所述第二表面,形成第二盲孔,其中所述第一盲孔和所述第二盲孔彼此贯通形成通孔,所述通孔围绕所述金属基板使得在所述金属基板中形成孤立焊盘;g)在所述第二表面上层压绝缘材料,得到第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤b)还包括:在所述第一表面上形成第一抗蚀层,在所述第二表面上形成第二抗蚀层;对所述第一抗蚀层进行曝光显影,形成暴露出所述第一表面的第一图案和第二图案;蚀刻所述第一图案形成所述第一盲孔,蚀刻所述第二图案形成贯穿所述金属基板的口框;移除所述第一抗蚀层和所述第二抗蚀层。3.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤f)还包括:在所述第二表面上形成第三抗蚀层;对所述第三抗蚀层进行曝光显影,形成暴露出所述第二表面的第三图案;蚀刻所述第三图案,形成第二盲孔,其中所述第一盲孔和所述第二盲孔彼此贯通形成通孔,所述通孔围绕所述金属基板使得在所述金属基板中形成孤立焊盘。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述金属基板的材料选自钛、镍、钒、铜、铝、钨、铬、银和金中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述粘合层包括可分离粘性胶层。6.根据权利要求5所述的方法,其中,步骤e)还包括:在所述移除所述粘合层之后,对所述第二表面进行清洁以移除残留的可分离粘性胶层。7.根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤g)之后,还包括:在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上进行开窗分别形成暴露出所述孤立焊盘和所述器件的端子的导通盲孔。8.根据权利要求7所述的方法,还包括:在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述导通盲孔的表面形成金属种子层;在所述金属种子层上电镀形成线路层。9.根据权利要求8所述的方法,还包括:在所述线路层上形成阻焊层和阻焊开窗。10.一种嵌埋器件封装基板,包括:金属基板、贯穿所述金属基板的口框,以及嵌埋在所述口框内的器件,其中所述金属基板形成有被贯穿所述金属基板的通孔围绕形成的孤立焊盘,所述通孔内填充有绝缘材料使得所述孤立焊盘与所述金属基板的其余部分绝缘。11.根据权利要求10所述的嵌埋器件封装基板,还包括:覆盖在所述金属基板两面上的第一绝缘层和第二绝缘层,以及分别在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的第一线路层和第二线路层,其中所述第一线路层和所述第二线路层与所述孤立焊盘导通连接。2CN115799073A说明书1/6页嵌埋器件封装基板及其制作方法技术领域[0001]本申请涉及封装基板技术领域,尤其涉及嵌埋器件封装基板及其制作方法。背景技术[0002]嵌埋器件于封装基板内部能够实现模组小型化,缩短元件之间的连接路径,降低传输损失,实现便携式电子设备多功能化和高性能化。简而言之,嵌埋基板能提升集成密度,具有轻薄、高密度的特点。然而,随着集成密度的提高,其发热量也在增加,同时产品的刚性也存在降低和不足的风险。因此需要提出提升嵌埋基板散热性能和增强产品刚性的有效方案。[0003]现有技术中,将器件嵌埋于有机基板内部,有机基板材料本身的导