研磨垫.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111601681A(43)申请公布日2020.08.28(21)申请号201980007751.7(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事(22)申请日2019.01.11务所(普通合伙)11201代理人宋融冰(30)优先权数据2018-0034722018.01.12JP(51)Int.Cl.B24B37/26(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/304(2006.01)2020.07.08(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0006682019.01.11(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/139117JA2019.07.18(71)申请人霓达杜邦股份有限公司地址日本大阪(72)发明人尾関晃权利要求书1页说明书9页附图12页(54)发明名称研磨垫(57)摘要本发明为研磨垫，其被供给研磨料浆且能够边旋转边对被研磨物进行研磨，该研磨垫具有研磨层，所述研磨层具有能够对所述被研磨物进行研磨的研磨面，所述研磨面具有非接触部，所述非接触部具有凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔被配置在以对所述被研磨物进行研磨时旋转的旋转中心作为中心、且具有所希望的长度的半径的同心圆上。CN111601681ACN111601681A权利要求书1/1页1.一种研磨垫，其特征在于，被供给研磨料浆且能够边旋转边对被研磨物进行研磨，所述研磨垫具有研磨层，所述研磨层具有能够对所述被研磨物进行研磨的研磨面，所述研磨面具有非接触部，所述非接触部具有凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔被配置在以对所述被研磨物进行研磨时旋转的旋转中心作为中心、且具有所希望的长度的半径的同心圆上。2.根据权利要求1所述的研磨垫，其中，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方以相互分离的状态在所述同心圆上配置多个。3.根据权利要求2所述的研磨垫，其中，所述研磨面为圆形或大致圆形，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，在使所述所希望的长度为R1、且使所述研磨垫的半径的长度为r时包含第一非接触部位，所述第一非接触部位是配置在以满足以下的数学公式的R1作为半径的同心圆上的所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方：0＜R1≤r/2。4.根据权利要求3所述的研磨垫，其中，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，在使所述所希望的长度为R2时包含第二非接触部位，所述第二非接触部位是配置在以满足以下的数学公式的R2作为半径的同心圆上的所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方：R1＜R2≤3*r/4。2CN111601681A说明书1/9页研磨垫[0001]关联申请的相互参照[0002]本申请主张日本专利申请2018-003472号的优先权，并通过引用纳入本申请说明书的记载中。技术领域[0003]本发明涉及对半导体晶片等被研磨物进行研磨的研磨垫。背景技术[0004]作为对半导体晶片等被研磨物进行研磨的方法，已知利用研磨垫的方法(专利文献1)。例如，记载了一种研磨方法，该方法如图13所示，将安装在研磨台104的表面的研磨垫101向被保持在托架103上的被研磨物102推压，并使托架103及研磨台104旋转，同时边向研磨垫101的中央部供给研磨料浆边对被研磨物102的表面进行研磨。[0005]在被研磨物的中央部，与包围该中央部的周缘部相比难以散热。因此，在该研磨方法中，在对被研磨物进行研磨时，被研磨物的中央部的温度容易升高。另外，在被研磨物的温度较高的区域，由于被研磨物容易与研磨料浆发生化学反应，因此，被研磨物的中央部的研磨量会变大。因此，在该研磨方法中，可能会导致被研磨物的被研磨的面变得不平坦。[0006]现有技术文献[0007]专利文献1：日本特开平11-347935号公报。发明内容[0008]发明欲解决的课题[0009]因此，本发明鉴于上述现有的问题，其目的在于提供一种研磨垫，该研磨垫用于被研磨物的研磨，并且能够提高被研磨的面的平坦性。[0010]用于解决课题的手段[0011]本发明的研磨垫，是被供给研磨料浆且能够边旋转边对被研磨物进行研磨的研磨垫，该研磨垫具有研磨层，所述研磨层具有能够对所述被研磨物进行研磨的研磨面，所述研磨面具有非接触部，所述非接触部具有凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔被配置在以对所述被研磨物进行研磨时旋转的旋转中心作为中心、且具有所希望的长度的半径的同心圆上。[0012]在所述研磨垫中，还可以构成为，所述凹部及贯穿所述研磨层的贯穿孔的至少一方以相互分离的状态在所述同心圆上配置多个。[0013]在所述研磨垫中，还可以构成