研磨垫.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CN102596506B(45)授权公告日(45)授权公告日2015.02.25(21)申请号201080046556.4B24B37/07(2012.01)(22)申请日2010.09.28D03D1/00(2006.01)D03D15/00(2006.01)(30)优先权数据H01L21/304(2006.01)2009-2371202009.10.14JP(56)对比文件(85)PCT国际申请进入国家阶段日JP特開2008-290181A,2006.12.04,2012.04.13CN1188251C,2005.02.09,(86)PCT国际申请的申请数据JP特開2009-191376A,2009.08.27,PCT/JP2010/0668432010.09.28CN1413161A,2003.04.23,(87)PCT国际申请的公布数据CN1438930A,2003.08.27,WO2011/046017JA2011.04.21CN1176786C,2004.11.24,CN100416868C,2008.09.03,(73)专利权人株式会社可乐丽CN1946516A,2007.04.11,地址日本冈山县高卫东.织物覆盖系数.《棉织手册》.中国专利权人丸石产业株式会社纺织出版社,2006,1249.(72)发明人片山隆渡边哲哉后藤幸生审查员朱羽辰加藤晋哉矢岛利康(74)专利代理机构北京三幸商标专利事务所(普通合伙)11216代理人刘激扬(51)Int.Cl.B24B37/24(2012.01)权利要求书1页说明书8页附图1页(54)发明名称研磨垫(57)摘要本发明提供一种适合于高硬度的半导体材料的研磨的研磨垫(14)。前述研磨垫(14)用于与游离磨粒组合而进行研磨，在前述研磨垫(14)中，在对研磨对象物(16)进行研磨的面(15)上具备由拉伸强度为15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物。在此织物中，例如高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3～15dtex左右，高强力有机纤维的总纤度可为3～3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维，例如包含全芳香族聚酯纤维。CN102596506BCN102596506B权利要求书1/1页1.一种研磨垫，其用于与游离磨粒组合而进行研磨，在该研磨垫的对研磨对象物进行研磨的面上，具备由拉伸强度15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物，该织物以下述式1所表示的覆盖系数K为700～4000的范围，此处，N1：经纱的密度(条/英寸)N2：纬纱的密度(条/英寸)T1：经纱的总纤度(dtex)T2：纬纱的总纤度(dtex)。2.如权利要求1所述的研磨垫，其为高强力有机纤维构成的织物，该高强力有机纤维的单纤维纤度为0.3～15dtex。3.如权利要求1所述的研磨垫，其为高强力有机纤维线构成的织物，该高强力有机纤维线的总纤度为3～3,000dtex。4.如权利要求1所述的研磨垫，其中，高强力有机纤维的弹性模量为300cN/dtex以上。5.如权利要求1所述的研磨垫，其中，高强力有机纤维为全芳香族聚酯纤维。6.如权利要求1所述的研磨垫，其以抛光方式、MCP方式或CMP方式使用。7.一种研磨装置，其具备：研磨垫；载件，其用于保持研磨对象物，使研磨对象物与研磨垫接触；游离磨粒，其供给到研磨垫与研磨对象物之间的研磨面，该研磨垫为权利要求1所记载的研磨垫，研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。8.一种研磨垫的使用方法，其将研磨对象物进行研磨，具备：使研磨垫接触研磨对象物的工序；将游离磨粒供给到研磨垫与研磨对象物之间的工序，该研磨垫为权利要求1所记载的研磨垫，研磨垫与研磨对象物隔着游离磨粒而相对移动。2CN102596506B说明书1/8页研磨垫[0001]相关申请[0002]本发明主张在日本于2009年10月14日所申请的特愿2009-237120的优先权，通过参照其整体作为形成本申请的一部分而进行了引用。技术领域[0003]本发明关于一种研磨垫，其特征为，研磨被研磨物的面为由高强力有机纤维构成的织物，特别涉及适合于半导体材料或金属的抛光(lap)及研磨的研磨垫。背景技术[0004]作为半导体基材，使用单晶硅晶圆成为主流，但在作为LED相关或高效率的功率装置等的下一代半导体基材，硅晶圆变得无法应对。特别地，要求高耐压化(可靠性提高)、低通态(on)电阻化(低损失化)，使用以SiC为首的各种化合物半导体、蓝宝石或陶瓷类基板的半导体装置的开发、量产化正在进行。特别地，与Si相比，SiC及GaN的宽带间隙广，不仅可高温动作(Si为175℃，但SiC为200～300℃)，绝缘击穿电场强度高到Si的10倍以上，