研磨垫.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103764346103764346A(43)申请公布日2014.04.30(21)申请号201280042516.1代理人钟守期侯婧(22)申请日2012.08.24(51)Int.Cl.(30)优先权数据B24B37/24(2006.01)2011-2076312011.09.22JPC08G18/28(2006.01)2011-2076352011.09.22JPH01L21/304(2006.01)2011-2076282011.09.22JPC08G101/00(2006.01)2011-2076342011.09.22JP(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.02.28(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0714732012.08.24(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/042507JA2013.03.28(71)申请人东洋橡胶工业株式会社地址日本大阪府大阪市(72)发明人佐藤彰则堂浦真人(74)专利代理机构北京北翔知识产权代理有限公司11285权权利要求书1页利要求书1页说明书28页说明书28页附图1页附图1页(54)发明名称研磨垫(57)摘要本发明的目的是提供在维持硬度的情况下提高了修整性的研磨垫，或不易在研磨对象物的表面产生刮痕且提高了修整性的研磨垫。本发明的研磨垫具有包含聚氨酯树脂发泡体或无发泡聚氨酯树脂的研磨层，其特征在于，所述聚氨酯树脂发泡体或无发泡聚氨酯树脂包含，作为原料成分，(A)异氰酸酯成分、(B)多元醇成分和(C)具有1个羟基的芳香族化合物和/或具有1个氨基的芳香族化合物。CN103764346ACN103764ACN103764346A权利要求书1/1页1.研磨垫，其具有包含具有独立气泡的聚氨酯树脂发泡体的研磨层，其特征在于，所述聚氨酯树脂发泡体包含，作为原料成分，(A)异氰酸酯成分、(B)多元醇成分和(C)具有1个羟基的芳香族化合物和/或具有1个氨基的芳香族化合物。2.研磨垫，其具有包含聚氨酯树脂发泡体的研磨层，其特征在于，所述聚氨酯树脂发泡体包含，作为原料成分，(A)异氰酸酯成分、(B)多元醇成分、(C)具有1个羟基的芳香族化合物和/或具有1个氨基的芳香族化合物和(D)中空微球。3.研磨垫，其具有包含具有连续气泡的聚氨酯树脂发泡体的研磨层，其特征在于，所述聚氨酯树脂发泡体包含，作为原料成分，(A)异氰酸酯成分、(B)多元醇成分和(C)具有1个羟基的芳香族化合物和/或具有1个氨基的芳香族化合物。4.研磨垫，其具有包含无发泡聚氨酯树脂的研磨层，其特征在于，所述无发泡聚氨酯树脂包含，作为原料成分，(A)异氰酸酯成分、(B)多元醇成分和(C)具有1个羟基的芳香族化合物和/或具有1个氨基的芳香族化合物。5.根据权利要求1至4中任一项的研磨垫，其中具有1个羟基的芳香族化合物为下述通式(1)所示的化合物：12R-(OCH2CHR)n-OH(1)(式中，R1为芳香族烃基、R2为氢或甲基、n为1-5的整数)。6.根据权利要求1至4中任一项的研磨垫，其中具有1个氨基的芳香族化合物为苯胺或其衍生物。7.根据权利要求1至4中任一项的研磨垫，其中具有1个羟基的芳香族化合物和/或具有1个氨基的芳香族化合物的含量是相对于1当量的异氰酸酯成分的异氰酸酯基而言，该芳香族化合物的活性氢基(羟基和/或氨基)当量为0.01-0.3的量。8.根据权利要求1至3中任一项的研磨垫，其中切割速率为3.5-10μm/min。9.根据权利要求4的研磨垫，其中切割速率为2-4μm/min。10.半导体器件的制造方法，其包括使用根据权利要求1至4中任一项的研磨垫对半导体晶片的表面进行研磨的步骤。2CN103764346A说明书1/28页研磨垫技术领域[0001]本发明涉及研磨垫，其可稳定地且以高的研磨效率对透镜、反射镜等光学材料、硅晶片、铝基板和通常的金属研磨加工等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化加工。本发明的研磨垫特别是适用于将硅晶片及其上形成有氧化物层、金属层等的器件在这些氧化物层或金属层层合、形成之前进行平坦化的步骤。[0002]另外，本发明还涉及在对透镜、反射镜等光学材料、硅晶片及铝基板等的表面进行研磨时所使用的研磨垫(粗研磨用或精加工研磨用)。特别地，本发明的研磨垫适合用作精加工用研磨垫。背景技术[0003]作为要求高度表面平坦性的材料的代表，可以列举制造半导体集成电路(IC、LSI)的称为硅晶片的单晶硅圆片。硅晶片在IC、LSI等的制造步骤中，为了形成用于形成电路的各种薄膜的可靠的半导体结，要求在层合和形成氧化物层或金属层的各步骤中，对表面高精度地平坦地进行精加工。在这样的研磨精加工步骤中，通常将