

一种用于原子层沉积镀膜设备灵活工艺控制的实现方法.pdf
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相关资料
一种用于原子层沉积镀膜设备灵活工艺控制的实现方法.pdf
本发明涉及一种用于原子层沉积镀膜设备灵活工艺控制的实现方法,通过对控制原子层沉积镀膜设备成膜工艺的工艺文件进行制作实现灵活工艺控制,包括如下步骤:通过工艺文本文件方式记录工艺信息,工艺信息可通过修改工艺文本文件内的自定义文本进行调整;通过编译器对工艺文本文件进行编译,将包含工艺信息的工艺文本文件转换为符合控制器程序定义的规则文件;通过控制器识别处理规则文件并以此对原子层沉积镀膜设备的工作状态进行控制,使其以规则文件内所包含的工艺信息进行执行。本发明的优点是:工艺人员直接修改工艺文件,无需修改控制程序,杜绝
一种原子层沉积镀膜装置.pdf
本实用新型涉及原子层沉积镀膜技术领域,公开了一种原子层沉积镀膜装置。原子层沉积镀膜装置包括真空腔室、沉积腔室、放置架、输气单元和排气管。沉积腔室置于真空腔室内;放置架上形成有多个容纳空间,硅片能够置于容纳空间内;输气单元沿沉积腔室的周向设置有至少两个,输气单元包括多个输气管,多个输气管沿沉积腔室的高度方向间隔排布,输气管与沉积腔室连通;排气管与沉积腔室连通。本实用新型实现了在多个方向和多种高度上向沉积腔室内部输送沉积原料,保证了硅片上镀膜层的均匀性,提高了封装效果,从而保证了镀膜层对于硅片的保护作用,保证
用于原子层沉积的设备.pdf
本发明的实施例提供了用于例如等离子体增强ALD(PE-ALD)的原子层沉积(ALD)的设备。在一个实施例中,提供了莲喷头组件,其包括莲喷头板,该莲喷头板具有上表面、下表面、从莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径,与上表面和下表面流体相通的第一多个孔和与上表面和下表面流体相通的第二多个孔,第一多个孔位于第一区域内,第一区域从莲喷头板的中心延伸到莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径,第二多个孔位于第二区域内,第二区域从莲喷头板的半径的约25%延伸到大约莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0
用于原子层沉积的设备.pdf
本发明公开了用于将材料原子层沉积在移动基底上的设备,所述设备包括用于沿着预定的平面或弯曲行进路径移动基底的传输装置和具有至少一个前体递送通道的涂覆杆。所述前体递送通道将包含待沉积在基底上材料的流体朝向行进路径引导。在使用时,可沿着行进路径移动的基底限定所述前体递送通道的出口端与所述基底之间的间隙。所述间隙限定对于来自前体递送通道的流体流的阻抗Zg。在前体递送通道内部设置了限流器,其表现出对于通过穿过它的流的预定阻抗Zfc。所述限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Zfc为所述阻抗Zg的至少五(5)倍,并且更优选
用于原子层沉积(ALD)的设备和方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN114008241A(43)申请公布日2022.02.01(21)申请号CN202080045852.6(22)申请日2020.04.24(71)申请人BENEQ有限公司地址芬兰埃斯波(72)发明人M·马里拉P·索恩宁(74)专利代理机构11587北京汇知杰知识产权代理有限公司代理人吴焕芳;杨勇(51)Int.CIC23C16/458(20060101)C23C16/455(20060101)H01L21/687(200601