用于原子层沉积(ALD)的设备和方法.pdf
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用于原子层沉积(ALD)的设备和方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN114008241A(43)申请公布日2022.02.01(21)申请号CN202080045852.6(22)申请日2020.04.24(71)申请人BENEQ有限公司地址芬兰埃斯波(72)发明人M·马里拉P·索恩宁(74)专利代理机构11587北京汇知杰知识产权代理有限公司代理人吴焕芳;杨勇(51)Int.CIC23C16/458(20060101)C23C16/455(20060101)H01L21/687(200601
用于原子层沉积的设备.pdf
本发明的实施例提供了用于例如等离子体增强ALD(PE-ALD)的原子层沉积(ALD)的设备。在一个实施例中,提供了莲喷头组件,其包括莲喷头板,该莲喷头板具有上表面、下表面、从莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径,与上表面和下表面流体相通的第一多个孔和与上表面和下表面流体相通的第二多个孔,第一多个孔位于第一区域内,第一区域从莲喷头板的中心延伸到莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径,第二多个孔位于第二区域内,第二区域从莲喷头板的半径的约25%延伸到大约莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0
用于原子层沉积的设备.pdf
本发明公开了用于将材料原子层沉积在移动基底上的设备,所述设备包括用于沿着预定的平面或弯曲行进路径移动基底的传输装置和具有至少一个前体递送通道的涂覆杆。所述前体递送通道将包含待沉积在基底上材料的流体朝向行进路径引导。在使用时,可沿着行进路径移动的基底限定所述前体递送通道的出口端与所述基底之间的间隙。所述间隙限定对于来自前体递送通道的流体流的阻抗Zg。在前体递送通道内部设置了限流器,其表现出对于通过穿过它的流的预定阻抗Zfc。所述限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Zfc为所述阻抗Zg的至少五(5)倍,并且更优选
一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置.pdf
本实用新型提供了一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置,涉及原子层沉积技术领域。其中,这种定量输气装置,包含用以连通原子层沉积设备的工艺腔室的出气管、分别出气管的至少两个定量进气组件,以及接合于出气管的不定量进气组件。定量进气组件包括定量腔室、用以连通源瓶的第一进气管、用以连通定量腔室和第一出气管的第一阀门,以及用以连通出气管和第一进气管的第二阀门。不定量进气组件包括用以连接气源的第二进气管,以及用以连通出气管和第二进气管的第三阀门。通过定量输气装置,能够有效的控制每次向反应腔室输送的气体的体积
用于在基板上沉积原子层的方法和装置.pdf
一种在基板上沉积原子层的方法,包括从包含于鼓轮中的前体气体供应器供应前体气体;鼓轮相对于从气体源接收气体的密封件旋转。鼓轮或密封件中的一个包括一个或多个气体气体进料通道,该气体进料通道与前体气体供应器流体连通,以及鼓轮或密封件中的另一个在其表面包括一个或多个环周沟槽,该表面由该鼓轮或密封件中的一个密封,从而防止沿径向方向的流体流动路径,且留下沿环周方向的流体流动路径。至少一个密封沟槽设置有一个或多个分隔件来分离在密封沟槽中的制程气体进料的邻近区域,从而使得区域提供互不相同的制程气体组成,以使前体气体在基板