用于原子层沉积的设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103531448103531448A(43)申请公布日2014.01.22(21)申请号201310367635.0(51)Int.Cl.(22)申请日2009.07.02H01L21/205(2006.01)(30)优先权数据61/078,3212008.07.03US(62)分案原申请数据200980126061.X2009.07.02(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人哈曼·拉姆博·郑爱·华迈克尔·杰克逊小雄·袁侯·功·王萨尔瓦多·P·安摩托伊萨恩·河·裕(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国赵静权权利要求书1页利要求书1页说明书23页说明书23页附图29页附图29页(54)发明名称用于原子层沉积的设备(57)摘要本发明的实施例提供了用于例如等离子体增强ALD（PE-ALD）的原子层沉积（ALD）的设备。在一个实施例中，提供了莲喷头组件，其包括莲喷头板，该莲喷头板具有上表面、下表面、从莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径，与上表面和下表面流体相通的第一多个孔和与上表面和下表面流体相通的第二多个孔，第一多个孔位于第一区域内，第一区域从莲喷头板的中心延伸到莲喷头板的半径的约25%，并且每个孔具有小于0.1英寸的直径，第二多个孔位于第二区域内，第二区域从莲喷头板的半径的约25%延伸到大约莲喷头板的外边缘，并且每个孔具有大于0.1英寸的直径。CN103531448ACN103548ACN103531448A权利要求书1/1页1.一种入口管道组件，包括：环形通道，所述环行通道包围中心通道，其中所述中心通道延伸通过所述入口管道组件；以及注入孔，从所述环形通道延伸通过所述中心通道的侧壁并延伸到所述中心通道，其中所述注入孔包括第一多个注入孔，所述第一多个注入孔朝向或基本上朝向所述中心通道的中心轴延伸，这些注入孔包括第二多个注入孔，所述第二多个注入孔相切地朝向或基本上相切地朝向所述中心通道的侧壁延伸。2.如权利要求1所述的入口管道组件，其中所述第一多个注入孔含有三个或更多的注入孔，并且所述第二多个注入孔含有三个或更多的注入孔。3.如权利要求1所述的入口管道组件，其中所述入口管道组件包括铝或铝合金。4.如权利要求3所述的入口管道组件，其中所述入口管道组件包括铝合金，并且所述铝合金进一步包括镁和硅。5.如权利要求1所述的入口管道组件，其中每个注入孔具有在从约0.06英寸至约0.12英寸的范围内的直径。6.一种用于等离子体增强原子层沉积过程的室，包括：基底支撑，包含接收基底的表面，并且被置于室体内；室盖组件，与所述室体连接并包括：入口管道组件，所述入口管道组件包括包围中心通道的环形通道，其中所述中心通道延伸通过所述入口管道组件，所述入口管道组件进一步包括注入孔，所述注入孔从所述环形通道延伸通过所述中心通道的侧壁并延伸到所述中心通道；莲喷头组件，包括设置在所述入口管道组件下方的莲喷头板；水箱，设置在所述入口管道组件和所述莲喷头组件之间；以及远程等离子体系统，设置在所述入口管道组件上方并与所述入口管道组件连接，并且与所述中心通道流体相通；以及处理区域，设置在所述接收基底的表面和所述莲喷头板的下表面之间。2CN103531448A说明书1/23页用于原子层沉积的设备[0001]本申请为申请日为2009年7月2日、申请号为200980126061.X并且发明名称为“用于原子层沉积的设备”的发明专利申请的分案申请。技术领域[0002]本发明的具体实施例大体上涉及用于沉积材料的设备和方法，更具体地涉及配置为在等离子体增强过程期间沉积材料的原子层沉积室。背景技术[0003]在半导体处理领域中，平板显示器处理或其它电子器件处理、气象沉积过程在将材料沉积在基底上时起重要作用。随着电子器件的几何尺寸不断减小以及器件的密集度不断提高，特征的尺寸和高宽比变得越来越有挑战性，例如，特征具有0.07μm的尺寸和10或更大的高宽比。因此，对材料进行保形沉积以形成这些器件变得越来越重要。[0004]尽管传统的化学气象沉积（CVD）已成功用于小到0.15μm的几何尺寸和高宽比的器件，然而更具挑战性的器件几何尺寸需要其它的沉积技术。一种倍受关注的技术是原子层沉积（ALD）。在ALD过程中，反应气体被连续地引入含有基底的沉积室。一般地，第一反应物被脉冲引入沉积室并被吸收到基底表面上。第二反应物被脉冲引入沉积室中并与第一反应物反应以形成沉积材料。一般在各反应气体的传输之间执行净化步骤。净化步骤可以对运载气体连续净化，或在反应气体的传输之间脉冲净化。热诱导ALD过程是最普通的ALD技术，使用热量使两种反应物之间产生化学反应。尽管热