用于原子层沉积的设备.pdf
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用于原子层沉积的设备.pdf
本发明的实施例提供了用于例如等离子体增强ALD(PE-ALD)的原子层沉积(ALD)的设备。在一个实施例中,提供了莲喷头组件,其包括莲喷头板,该莲喷头板具有上表面、下表面、从莲喷头板的中心向外边缘延伸的半径,与上表面和下表面流体相通的第一多个孔和与上表面和下表面流体相通的第二多个孔,第一多个孔位于第一区域内,第一区域从莲喷头板的中心延伸到莲喷头板的半径的约25%,并且每个孔具有小于0.1英寸的直径,第二多个孔位于第二区域内,第二区域从莲喷头板的半径的约25%延伸到大约莲喷头板的外边缘,并且每个孔具有大于0
用于原子层沉积的设备.pdf
本发明公开了用于将材料原子层沉积在移动基底上的设备,所述设备包括用于沿着预定的平面或弯曲行进路径移动基底的传输装置和具有至少一个前体递送通道的涂覆杆。所述前体递送通道将包含待沉积在基底上材料的流体朝向行进路径引导。在使用时,可沿着行进路径移动的基底限定所述前体递送通道的出口端与所述基底之间的间隙。所述间隙限定对于来自前体递送通道的流体流的阻抗Zg。在前体递送通道内部设置了限流器,其表现出对于通过穿过它的流的预定阻抗Zfc。所述限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Zfc为所述阻抗Zg的至少五(5)倍,并且更优选
用于原子层沉积(ALD)的设备和方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN114008241A(43)申请公布日2022.02.01(21)申请号CN202080045852.6(22)申请日2020.04.24(71)申请人BENEQ有限公司地址芬兰埃斯波(72)发明人M·马里拉P·索恩宁(74)专利代理机构11587北京汇知杰知识产权代理有限公司代理人吴焕芳;杨勇(51)Int.CIC23C16/458(20060101)C23C16/455(20060101)H01L21/687(200601
用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统.pdf
本发明涉及用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统。柜体包括前柜体和后柜体,反应腔安装在前柜体顶部,反应腔包含外腔体和多个内腔处理单元,多个的内腔处理单元在外腔体内呈多层分布,每个内腔处理单元均包括内腔体、内腔上盖和内腔加热器,内腔体与内腔上盖构成沉积腔室,内腔加热器设置在内腔体底部;每个内腔处理单元均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统;进样中转腔安装在前柜体顶部,进样中转腔与反应腔中的每个内腔处理单元之间均设有一件插板阀,搬运机器人装置设置在进样中转腔内。本发明可以避免不同薄膜之间的交互污染,同时可以满足
原子层沉积设备.pdf
本发明涉及原子层沉积设备技术领域,涉及一种原子层沉积设备,其包括反应室、基片架、承载装置和供气装置;承载装置包括承载件和旋转组件,承载件可转动地容置于反应腔内,基片架设于承载件上,旋转组件分别连接于反应室和承载件并用于驱动承载件旋转;供气装置包括进气组件和排气组件,进气组件和排气组件分别连通于反应腔,且进气组件用于朝向基片架输送反应气体,排气组件用于排出反应腔内的尾气。在本实施例的原子层沉积设备中,通过设置承载装置和供气装置配合,可以在一次加工过程中驱使基片架与多种不同的反应物接触反应,并且无需再经历冲洗