一种LED高导热金属基板及其制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106449956A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号201611103473.X(22)申请日2016.12.05(71)申请人广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院地址528300广东省佛山市顺德区大良南国东路9号申请人中山大学(72)发明人崔国峰杨涵(74)专利代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司44100代理人华辉吴静芝(51)Int.Cl.H01L33/64(2010.01)H01L33/62(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种LED高导热金属基板及其制备工艺(57)摘要本发明公开了一种用于LED高导热金属基板及其制备工艺，包括以下步骤：(1)制备具有基板部和凸起部的金属基板，作为金属基板层，所述基板部呈平板形，所述凸起部从所述基板部向上延伸凸起；(2)在金属基板层具有凸起部的一面，于基板部上单面涂覆绝缘膜形成绝缘层；(3)在金属基板层的基板部带有绝缘膜的一侧上覆铜形成铜层；(4)在铜层上腐蚀出导线；(5)在其表面通过电镀铜，使LED灯珠的电极引脚与铜层的导线固定。本发明提供的方法，采用的原料均不含重金属，对环境友好，而且原料简单易得，生产工艺易于操作，适于连续化生产；采用本发明所述的方法制得的金属基板适用于大功率LED领域。CN106449956ACN106449956A权利要求书1/1页1.一种LED高导热金属基板，其特征在于，包括从下往上依次设置的金属基板层、绝缘层、铜层和LED灯珠，还包括电镀铜层，所述绝缘层和铜层具有上下贯穿的通孔，所述金属基板层包括基板部和凸起部，所述基板部位于所述绝缘层下方，呈平板形，所述凸起部从所述基板部向上延伸凸起并伸入所述绝缘层和所述铜层的通孔中，LED灯珠的底部与所述凸起部接触，所述铜层上设有导线，所述电镀铜层位于LED灯珠的电极引脚和铜层的导线之上，且连接LED灯珠的电极引脚和所述铜层的导线。2.根据权利要求1所述的LED高导热金属基板，其特征在于，所述金属基板层的基板部和凸起部一体成型。3.根据权利要求1所述的LED高导热金属基板，其特征在于，所述金属基板层是金箔、银箔、黄铜箔、铜箔、镍箔、铝箔或不锈钢箔。4.一种LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)制备具有基板部和凸起部的金属基板，作为金属基板层，所述基板部呈平板形，所述凸起部从所述基板部向上延伸凸起；(2)在金属基板层具有凸起部的一面，于基板部上单面涂覆绝缘膜形成绝缘层；(3)在金属基板层的基板部带有绝缘膜的一侧上覆铜形成铜层；(4)在铜层上腐蚀出导线；(5)在其表面通过电镀铜，使LED灯珠的电极引脚与铜层的导线固定。5.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于所述金属基板层是金箔、银箔、黄铜箔、铜箔、镍箔、铝箔或不锈钢箔。6.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(2)中所述绝缘膜是氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜、聚酰亚胺膜、聚乙烯膜、聚偏二氟乙烯膜或聚四氟乙烯膜。7.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(3)中所述覆铜方法是大面积覆铜或网格覆铜。8.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(4)中所述腐蚀出导线的方法是机械法或电化学法。9.根据权利要求4所述的LED高导热金属基板的制备工艺，其特征在于步骤(5)中所述电镀铜的方法是酸性镀铜、脉冲镀铜或旋转镀铜。2CN106449956A说明书1/4页一种LED高导热金属基板及其制备工艺技术领域[0001]本发明涉及一种LED高导热金属基板及其制备工艺。背景技术[0002]通常，大功率LED使用蓝宝石、SiC、单晶硅等材料作为基片材料。但是由于蓝宝石的散热性较差，导致生产的LED使用寿命较短，严重限制其应用范围；而SiC基片生产成本较高，也影响其工业应用。单晶硅生产工艺成熟，原材料易得，现正逐步取代以前的基片材料。但随着研究的深入，人们发现硅对可见光有吸收，而且散热性能也不甚理想。[0003]采用传统的金属基板散热效果也不佳，金属基板的热传导路径需经过一层绝缘层，而一般绝缘层的导热系数很小，会导致LED灯珠的热量传导速度很慢，热量仍不能及时散出去。既使国外有将金属基板中的绝缘层导热系数提高，制作高端的金属基板，但成本较高。发明内容[0004]本发明的目的是解决现有技术的不足，提供一种用于LED高导热金属基板，结构独特设计，适用于大功率LED领域，散热快、使用寿命长，环保且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。[0005]本发明