一种高导热率陶瓷基板及其制备方法.pdf
文宣****66
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一种高导热率陶瓷基板及其制备方法.pdf
本发明公开了一种高导热率陶瓷基板及其制备方法,属于电子封装材料技术领域。按重量份数计,依次称取70~80份氧化铝粉,10~15份氧化铁粉,20~25份氧化铜粉,20~25份碳粉,13~18份氧化硼粉,12~16份改性玻璃纤维,8~14份金属氧化物晶须和3~5份冰晶石;将碳粉,氧化硼粉,冰晶石和改性玻璃纤维混合球磨后,过筛,得混合料粉末,将混合料粉末,氧化铝粉,氧化铁粉,氧化铜粉和金属氧化物晶须混合后,加入模具中,于模具中压制成型,得坯料,将坯料移入烧结炉中烧结,得高导热率陶瓷基板。本发明制备的陶瓷基板具有
一种LED用高导热率氮化硅‑氮化铝复相陶瓷基板及其制备方法.pdf
本发明公开了一种LED用高导热率氮化硅‑氮化铝复相陶瓷基板,包括如下重量份原料:氮化硅80‑120份;氮化铝80‑120份;添加剂2‑10份;所述添加剂由如下重量份物质组成:氟化镁1‑3份;氟化钇1‑3份;碳酸锂1‑3份;最佳陶瓷基板的物化性能为,导热率为330W/(m·k),弯曲强度为950Mpa,维氏硬度为20GPa。
一种LED高导热金属基板及其制备工艺.pdf
本发明公开了一种用于LED高导热金属基板及其制备工艺,包括以下步骤:(1)制备具有基板部和凸起部的金属基板,作为金属基板层,所述基板部呈平板形,所述凸起部从所述基板部向上延伸凸起;(2)在金属基板层具有凸起部的一面,于基板部上单面涂覆绝缘膜形成绝缘层;(3)在金属基板层的基板部带有绝缘膜的一侧上覆铜形成铜层;(4)在铜层上腐蚀出导线;(5)在其表面通过电镀铜,使LED灯珠的电极引脚与铜层的导线固定。本发明提供的方法,采用的原料均不含重金属,对环境友好,而且原料简单易得,生产工艺易于操作,适于连续化生产;采
一种高透过率高熵透明陶瓷及其制备方法.pdf
本发明提供了一种高透过率高熵透明陶瓷及其制备方法,首先按照化学计量比配置稀土离子硝酸盐溶液,加入氨水及柠檬酸并不断加热,直至溶液变为凝胶状;然后,燃烧过程,将凝胶溶液低温煅烧得到聚合物粉末,将得到的粉末高温煅烧,将得到的粉末在去离子水中球磨,然后过筛、干燥、干压成型得到素坯;最后,烧结和退火过程,将素坯置于真空炉中烧结,之后在空气中退火,研磨抛光后得到高熵透明陶瓷。透明陶瓷被分为五个高熵固溶相,具有丰富的吸收峰和多种应用潜力。通过改进的燃烧法制备的纳米陶瓷粉末尺寸小且均匀分布。该高熵透明陶瓷透过率高,制备
一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片,所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料,通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260W/(m·K)的陶瓷散热基片。本发明还公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法,包括:将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型;将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理;将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉中进行烧成,得到初成品;将所述初成品保温保压0.5~8小时,随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。采用本发明,所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~26