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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107635947A(43)申请公布日2018.01.26(21)申请号201680026552.7(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公(22)申请日2016.05.03司31100代理人项丹(30)优先权数据62/158,2452015.05.07US(51)Int.Cl.C04B35/638(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C04B35/64(2006.01)2017.11.07C04B38/06(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C04B35/195(2006.01)PCT/US2016/0304932016.05.03(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/179130EN2016.11.10(71)申请人康宁股份有限公司地址美国纽约州(72)发明人D·R·温权利要求书2页说明书12页附图3页(54)发明名称烧制陶瓷蜂窝坯体的方法(57)摘要一种用于烧制陶瓷蜂窝坯体的方法,所述方法包括:将陶瓷蜂窝生坯体以第一加热速率并在第一氧气水平下从第一温度加热到第二温度。接着,将陶瓷蜂窝生坯体以第二加热速率并在第二氧气水平下从第二温度加热到第三温度。在这一烧制方案中,第二加热速率大于第一加热速率,并且第二氧气水平高于第一氧气水平。另外,在接近有机物挥发释放峰值时将氧气引入到窑中,以将窑的氧气水平从第一氧气水平升高到第二氧气水平。CN107635947ACN107635947A权利要求书1/2页1.一种用于在窑中烧制蜂窝生坯体的方法,所述方法包括:将蜂窝生坯体以第一加热速率并在第一氧气水平下从第一温度加热到第二温度;以及接着,将蜂窝生坯体以第二加热速率并在第二氧气水平下从第二温度加热到第三温度,其中第二加热速率大于第一加热速率,第二氧气水平高于第一氧气水平,并且在接近蜂窝生坯体的有机物挥发释放峰值时将氧气引入到窑中,以将窑的氧气水平从第一氧气水平升高到第二氧气水平。2.根据权利要求1所述的方法,其中,在整个有机物挥发释放峰值期间将窑的氧气水平保持在第一氧气水平。3.根据权利要求1所述的方法,其中,第一氧气水平为约5体积%至约13体积%。4.根据权利要求1所述的方法,其中,第一氧气水平为约8体积%至约11体积%。5.根据权利要求1所述的方法,其中,第二氧气水平为约12体积%至约20体积%。6.根据权利要求1所述的方法,其中,第二氧气水平为约13体积%至约17体积%。7.根据权利要求1所述的方法,其中,第一加热速率为约20℃/小时至约45℃/小时。8.根据权利要求1所述的方法,其中,第一加热速率为约30℃/小时至约42℃/小时。9.根据权利要求1所述的方法,其中,第二加热速率为约35℃/小时至约90℃/小时。10.根据权利要求1所述的方法,其中,第二加热速率为约40℃/小时至约70℃/小时。11.根据权利要求1所述的方法,其中,第一温度为约180℃至约220℃。12.根据权利要求1所述的方法,其中,第二温度为约430℃至约470℃。13.根据权利要求1所述的方法,其中,第三温度为约580℃至约620℃。14.根据权利要求1所述的方法,其中,陶瓷蜂窝生坯体的直径为约8英寸至约15英寸,并且纵横比为约0.4至约1.5。15.根据权利要求1所述的方法,其中,在约260℃至约300℃的窑温度下将氧气引入到窑中以将窑的氧气水平从第一氧气水平增加到第二氧气水平。16.一种用于在窑中烧制蜂窝生坯体的方法,所述方法包括:以约20℃/小时至约45℃/小时的第一加热速率并在约5体积%至约13体积%的第一氧气水平下,将陶瓷蜂窝生坯体从约180℃至约220℃的第一温度加热到约430℃至约470℃的第二温度;以及以约35℃/小时至约90℃/小时的第二加热速率并在约12体积%至约20体积%的第二氧气水平下,将陶瓷蜂窝生坯体从第二温度加热到约580℃至约620℃的第三温度,其中第二加热速率大于第一加热速率,第二氧气水平高于第一氧气水平,在接近蜂窝生坯体的有机物挥发释放峰值时将氧气引入到窑中,以将窑的氧气水平从第一氧气水平升高到第二氧气水平,并且陶瓷蜂窝生坯体的直径为约8英寸至约15英寸,并且纵横比为约0.4至约1.5。17.根据权利要求16所述的方法,其中,在整个有机物挥发释放峰值期间将窑的氧气水平保持在第一氧气水平。18.根据权利要求16所述的方法,其中,第一氧气水平为约8体积%至约11体积%。2CN107635947A权利要求书2/2页19.根据权利要求16所述的方法,其中,第二氧气水平为约13体积%至约17体积%。20.根据权利要求16所述的方法,其中,在约260℃至约300℃的窑温度下将氧气引入到窑中以将窑的氧气水平从第一氧气水平增加