掩模版和使用该掩模版形成半导体器件中的图案的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115755515A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202210935429.4(22)申请日2022.08.03(30)优先权数据10-2021-01163372021.09.01KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人申素恩崔振(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330专利代理师李娜王占杰(51)Int.Cl.G03F1/00(2012.01)G03F1/50(2023.01)H01L21/027(2012.01)H10B12/00(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图21页(54)发明名称掩模版和使用该掩模版形成半导体器件中的图案的方法(57)摘要提供了掩模版和使用该掩模版形成半导体器件中的图案的方法。所述掩模版包括：掩模基板；反射层，所述反射层位于所述掩模基板上；以及掩模图案，所述掩模图案位于所述反射层上，并且具有用于吸收光的图像图案和位于所述图像图案之间的第一图案，所述第一图案是开口，并且在俯视图中具有蜂窝状排列，使得七个所述第一图案布置在第一正六边形的相应的顶点和中心处，并且每个所述第一图案具有相对于所述第一正六边形旋转90度的第二正六边形的形状。CN115755515ACN115755515A权利要求书1/3页1.一种掩模版，所述掩模版包括：掩模基板；反射层，所述反射层位于所述掩模基板上；以及掩模图案，所述掩模图案位于所述反射层上，并且所述掩模图案包括：图像图案，所述图像图案用于吸收光，以及第一图案，所述第一图案位于所述图像图案之间，所述第一图案是开口，所述第一图案在俯视图中具有蜂窝状排列，使得七个所述第一图案布置在第一正六边形的相应的顶点和中心处，并且每个所述第一图案具有相对于所述第一正六边形旋转90度的第二正六边形的形状。2.根据权利要求1所述的掩模版，其中：所述第一正六边形具有上部和下部为水平直线并且侧部相对于所述上部和所述下部向外突出的形状，并且所述第二正六边形具有上部和下部向外突出并且侧部是竖直直线的形状。3.根据权利要求2所述的掩模版，其中，所述第一图案以在与衬底平行的第一方向上延伸的行布置，所述行中的相邻的行在与所述衬底平行并与所述第一方向垂直的第二方向上以Z字形图案相对于彼此偏移。4.根据权利要求1所述的掩模版，其中：所述第一正六边形具有上部和下部向外突出并且侧部是竖直直线的形状，并且所述第二正六边形具有上部和下部是水平直线并且侧部相对于所述上部和所述下部向外突出的形状。5.根据权利要求1所述的掩模版，其中，在所述俯视图中，所述第二正六边形与目标孔阵列的每个目标孔外接。6.根据权利要求1所述的掩模版，其中，在所述俯视图中，所述第二正六边形与相邻的第二正六边形之间的最短距离与目标孔阵列的相邻的目标孔之间的最短距离相同。7.根据权利要求1所述的掩模版，其中，在所述俯视图中，从所述第二正六边形的中心到所述第二正六边形的顶点的距离大于目标孔阵列的每个目标孔的半径。8.根据权利要求1所述的掩模版，其中，所述掩模基板包括图像区域和围绕所述图像区域的黑色区域，所述掩模图案的所述第一图案和所述图像图案位于所述图像区域上。9.一种掩模版，所述掩模版包括：掩模基板，所述掩模基板包括图像区域和围绕所述图像区域的黑色区域；金属层，所述金属层位于所述掩模基板的底表面上；反射层，所述反射层位于所述掩模基板的顶表面上；以及掩模图案，所述掩模图案位于所述反射层上，并且所述掩模图案包括：图像图案，所述图像图案位于所述掩模基板的所述图像区域上，所述图像图案用于吸收光，第一图案，所述第一图案位于所述图像图案之间，所述第一图案是开口，所述第一图案在俯视图中具有蜂窝状排列，使得七个所述第一图案布置在第一正六边形的相应的顶点和中心处，并且每个所述第一图案具有第二正六边形的形状，所述第二正六边形与目标孔阵列的每个目标孔外接，以及2CN115755515A权利要求书2/3页黑色图案，所述黑色图案位于所述掩模基板的所述黑色区域上。10.根据权利要求9所述的掩模版，其中，所述第二正六边形相对于所述第一正六边形旋转90度。11.根据权利要求9所述的掩模版，其中，所述第一图案以在与衬底平行的第一方向上延伸的行布置，所述行中的相邻的行在与所述衬底平行并且与所述第一方向垂直的第二方向上以Z字形图案相对于彼此偏移。12.根据权利要求9所述的掩模版，其中，所述第二正六边形和相邻的第二正六边形之间的最短距离与所述目标孔阵列的所述目标孔之间的最短距离相同。13.根据权利要求9所述的掩模版，其中，从所述第二正六边形的中心到所述第二正六边形的顶点的距离大于所述目标孔阵列的每个目标孔的半径。14.一种用于形成半导体器件中的图案的方法，所述方法包括：