化学气相沉积设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102230167102230167B(45)授权公告日2014.08.13(21)申请号201110220757.8审查员赵亚斌(22)申请日2008.11.20(30)优先权数据10-2007-01377152007.12.26KR10-2008-00963062008.09.30KR(62)分案原申请数据200810176342.32008.11.20(73)专利权人三星电子株式会社地址韩国京畿道水原市(72)发明人金昶成刘相德洪钟波沈智慧李元申(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286代理人郭鸿禧薛义丹(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书8页说明书8页附图7页附图7页(54)发明名称化学气相沉积设备(57)摘要本发明提供一种化学气相沉积设备。所述设备包括反应室、气体引入单元和气体排出单元。气体室包括基座和反应炉，在基座上装载晶片，在反应炉中用化学气相沉积处理晶片。气体引入单元设置在反应室的外壁，以从反应炉外部向反应炉中心部分供应反应气体。气体排出单元设置在反应室的中心部分，以在反应气体被用于在反应炉中的反应之后将反应气体排放到反应室的上面的外部或下面的外部。因此，即使当增加工艺压力以生长高温沉积层时，室内的气体强度也可保持在基本均匀的状态。CN102230167BCN102367BCN102230167B权利要求书1/1页1.一种化学气相沉积设备，包括：反应室，包括基座和反应炉，在基座上装载晶片，在反应炉中用化学气相沉积处理晶片；气体引入单元，设置在反应室的外壁，以从反应炉外部向反应炉中心部分供应反应气体；气体排出单元，设置在反应室的中心部分，以在反应气体被用于在反应炉中的反应之后将反应气体从反应室的中心部分排放到反应室的上面的外部或下面的外部，流控制单元，所述流控制单元设置在气体引入单元和气体排出单元之间，以形成从气体引入单元到气体排出单元的均匀的气流，其中，气体排出单元包括：排出孔，形成在反应室的内部的顶部或基座的中心部分；排出线，与排出孔连通。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，还包括驱动单元，所述驱动单元提供转动动力以沿一个方向转动基座。3.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，还包括加热单元，所述加热单元设置为接近基座以向基座供应热。4.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，流控制单元包括：障壁构件，设置在反应炉的外部，以在反应室中限定反应炉，并在调节反应气体的压力的同时，将从气体引入单元供应的反应气体引入到反应炉中；至少一个气体室，设置在反应室的外壁和障壁构件之间，以存储从气体引入单元供应的反应气体并穿过障壁构件供应反应气体。5.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其中，当设置多个气体室时，化学气相沉积设备还包括分隔多个气体室的至少一个分开构件。6.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，还包括涡流防止单元，所述涡流防止单元设置在反应室中面对基座的一侧，以使基座和反应室之间的距离朝气体引入单元逐渐减小。2CN102230167B说明书1/8页化学气相沉积设备[0001]本申请是申请日为2008年11月20日、申请号为200810176342.3、题为“化学气相沉积设备”的专利申请的分案申请。[0002]本申请要求于2007年12月26日提交到韩国知识产权局的第10-2007-0137715号韩国专利申请和于2008年9月30日提交到韩国知识产权局的第10-2008-0096306号韩国专利申请的优先权，这些申请通过引用包含于此。技术领域[0003]本发明涉及一种化学气相沉积设备，该设备通过内部供应反应气体来均匀地并稳定地在晶片的表面上生长沉积层。背景技术[0004]通常，化学气相沉积(CVD)被用作在各种基底上生长各种晶体层的重要的方法。与液相沉积法相比，CVD对于生长高质量晶体层是有利的；然而，CVD由于相对低的晶体生长速率而不利。为了克服这个缺点，在每个循环过程中在多个基底上同时生长层。[0005]然而，在于多个基底上同时生长层的情况下，基底应当被保持在相同的温度下并且暴露于相同的反应气流，以使在基底上生长的层的质量保持均匀。[0006]可用于上述目的的方法的示例包括：利用多个注射管沿基底产生均匀气流的方法；围绕旋转轴放射状地布置多个基底并在旋转同一轴上的全部基底的方法(轨道运行法(orbitingmethod))；单独旋转多个基底的方法(单独旋转法)。相关领域的这些方法可以一起或单独使用。发明内容[0007]本发明的一方面提供一种化学气相沉积设备，即使工艺压力在用于生长高温沉积层的工艺条件下增加，所述设备也保持室内的气体密度在基本均