抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103243308A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103243308103243308A(43)申请公布日2013.08.14(21)申请号201210029680.0(22)申请日2012.02.10(71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址214028无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号(72)发明人孙雷军(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人臧霁晨高为(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书4页说明书4页附图2页附图2页(54)发明名称抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法(57)摘要本发明提供抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法。一种抽气装置，用于抽取低压化学气相沉积设备的炉管内的气体，其特征在于，所述抽气装置包括：并联的第一阀、第二阀和第三阀，其通过导管与炉管的排气口相连；抽气泵，其通过导管与第一至第三阀相连，其中第一阀、第二阀和第三阀分别与抽气泵一起工作用于降低炉管内气压且降低炉管内气压的速率依次递减。利用本发明可以改善现有的低压化学气相沉积设备内颗粒污染较为严重的问题。CN103243308ACN103248ACN103243308A权利要求书1/2页1.一种抽气装置，用于抽取低压化学气相沉积设备的炉管内的气体，其特征在于，所述抽气装置包括：并联的第一阀、第二阀和第三阀，其通过导管与炉管的排气口相连；抽气泵，其通过导管与第一至第三阀相连，其中第一阀、第二阀和第三阀分别与抽气泵一起工作用于降低炉管内气压且降低炉管内气压的速率依次递减。2.如权利要求1所述的抽气装置，其特征在于，所述第一阀与所述抽气泵一起工作能够在1分钟内将炉内气压降至5mtor以下，所述第二阀与所述抽气泵一起工作能够在6-8分钟内将炉内气压从760tor降至3tor，所述第三阀与所述抽气泵一起工作能够在6-8分钟内将炉内气压从760tor降至100tor。3.一种低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述设备包括：具有一端开口、另一端封闭的炉管，所述炉管包括进气口、排气口；炉管基座，用于与所述炉管开口端接触并与所述炉管构成密闭空间；晶舟，装设于所述炉管基座并收容于所述炉管内部；以及如权利要求1或2所述的抽气装置，与炉管的排气口相连。4.如权利要求3所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述设备还包括：关闭件，用于与所述炉管开口端接触并与所述炉管构成密闭空间。5.一种利用权利要求3或4的低压化学气相沉积设备的化学气相沉积方法，其特征在于，包括步骤：A.将晶圆装载到晶舟上；B.将晶舟送入炉管；C.在晶舟完全进入炉管内时，开启抽气泵和第二阀，在压力为3tor时，开启第一阀直至炉管内气压在5mtor以下；D.停止抽气，通入反应气体；E.待薄膜生长完成后，停止所述反应气体的通入；F.将晶舟从炉管内移出；以及G.从晶舟上卸载反应后的晶圆。6.如权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，步骤A还包括：A1.闭合关闭件且开启抽气泵和第三泵。7.如权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，步骤A在步骤A1之后还包括：A2.在炉管内的气压为100tor以下时，关闭抽气泵和第三阀；以及A3.检验炉管的密封性；如果不密封则发送报警信号并停止后续步骤，否则向炉管内通入保护气体至打开关闭件。8.如权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，步骤D还包括在停止抽气之后检验炉管的密封性，如果不密封则发送报警信号并停止后续步骤，否则通入反应气体。9.如权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，步骤G还包括：在反应后的晶圆冷却一定时间之后，从晶舟上卸载反应后的晶圆。10.如权利要求9所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在反应后的晶圆冷却期间，闭合关闭件且开启第三阀和抽气泵。11.如权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，步骤G还包括：在从晶舟上2CN103243308A权利要求书2/2页卸载反应后的晶圆期间，闭合关闭件且开启第三阀和抽气泵。3CN103243308A说明书1/4页抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种低压化学气相沉积设备。背景技术[0002]在半导体技术大发展的今天，低压化学气相沉积（LPCVD）设备广泛地应用于多晶硅、二氧化硅以及氮化硅等薄膜的沉积。沉积时，向沉积室内通入气态的含有形成薄膜所需的原子或分子的化学物质，该化学物质在沉积室内混合并发生反应，最终在晶片表面聚集形成希望形成的固态薄膜和气态产物。在这一薄膜形成过程中，除了在晶片表面形成薄膜外，必然也会在沉积室的内壁表面积累附着物。因此，在