一种浮栅的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102610504A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102610504A(43)申请公布日2012.07.25(21)申请号201210066527.5(22)申请日2012.03.14(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人肖海波(74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司31213代理人王敏杰(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书44页页附图附图11页(54)发明名称一种浮栅的制备方法(57)摘要本发明提供一种浮栅的制备方法，具体步骤如下：步骤一:形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。本发明涉及的浮栅完全是炉管沉积出来的，没有经过CMP的研磨，其厚度是均匀的，有效地提高了编程和擦除的性能，非常适于实用。CN102654ACN102610504A权利要求书1/1页1.一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：步骤一:形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。2.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述步骤一中形成的浅沟槽隔离的深度为2500A~3500A。3.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述步骤一中形成的浅沟槽隔离的高度为500A~2000A。4.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述的步骤一中的沉积的栅氧化层的厚度为90A~110A。5.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述步骤一中沉积的浮栅的高度为200A~600A。6.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述步骤一中沉积的浮栅的长度为32nm~0.20um。7.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述步骤一中沉积的浮栅的宽度为60nm~0.3um。8.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述的步骤二中的第一阻挡层为SiN。9.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述的步骤二中的第二阻挡层为氧化物。10.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述的步骤二中的第一阻挡层的厚度为100A~400A。11.如权利要求1所述的一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述的步骤二中的第二阻挡层的厚度为300A~1000A。2CN102610504A说明书1/4页一种浮栅的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别涉及一种浮栅的制备方法。背景技术[0002]自从1967年贝尔实验室的D.Kahng和S.M.Sze提出了浮栅结构的非挥发性半导体存储器以来，基于栅堆叠的MOSFET结构的浮栅半导体存储器就在容量、成本和功耗上以占有极大的优势取代了之前长期使用的磁存储器。在此基础上，日本东芝公司在1984年成功提出了Flash存储器的概念，直到现在Flash存储器仍然是非挥发性半导体存储器市场上的主流器件，但是随着微电子技术节点不断向前推进，工艺线宽的将进一步减小，基于浮栅结构的传统Flash正在遭遇严重的技术难点，主要原因是由于隧穿介质层的持续减薄，漏电现象越发严重，严重限制了Flash器件的可缩小化，导致浮栅存储器件的密度难以提升。[0003]浮栅式非挥发性存储器是目前被大量使用和普遍认可的主流非挥发性存储器，被广泛应用于电子和计算机设备。传统的浮栅结构存储单元由于结构与材料的限制，致使快速写入/擦除操作的要求和长期稳定存储的需求之间产生了严重矛盾。且随着特征尺寸的缩小，此矛盾更加显著。[0004]随着特征尺寸推进至纳米级，在缩小存储单元、提高存储密度的同时提高存储数据读写、擦除和保持性能，已经成为目前浮栅存储单元发展面临的关键问题。这就要求从材料和结构上对传统浮栅存储单元加以改进。[0005]随着器件尺寸的减少，很多公司浮栅的制备