浮栅的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106384715A(43)申请公布日2017.02.08(21)申请号201610884653.X(22)申请日2016.10.10(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人曹子贵黄浩(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称浮栅的制备方法(57)摘要本发明公开了一种浮栅的制备方法，包括提供一基底，在基底上自下至上依次形成浮栅层及掩膜层；在浮栅层和掩膜层中形成一沟槽，并在沟槽的两内侧形成第一侧墙；去除掩膜层，暴露出浮栅层；在暴露的浮栅层的上表面形成一浮栅保护层；对浮栅保护层和浮栅层进行浮栅刻蚀工艺，保留第一侧墙下方的浮栅层，以形成浮栅；在浮栅刻蚀工艺的击穿步刻蚀中，击穿步刻蚀的时间等于刻蚀浮栅保护层的固定时间与刻蚀部分浮栅层的时间之和。本发明通过上述击穿步刻蚀可以防止因所述浮栅层的厚度偏厚而导致浮栅尖端过高的现象，确保后续形成稳定的浮栅尖端，保证闪存性能的良好。CN106384715ACN106384715A权利要求书1/2页1.一种浮栅的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上自下至上依次形成浮栅层及掩膜层；在所述浮栅层和所述掩膜层中形成一沟槽，并在所述沟槽的两内侧形成第一侧墙；去除所述掩膜层，暴露出所述浮栅层；在暴露的所述浮栅层的上表面形成一浮栅保护层；对所述浮栅保护层和浮栅层进行浮栅刻蚀工艺，保留所述第一侧墙下方的所述浮栅层，以形成浮栅；其中，所述浮栅刻蚀工艺包括：击穿步刻蚀，所述击穿步刻蚀的时间等于刻蚀所述浮栅保护层的固定时间与刻蚀部分所述浮栅层的时间之和。2.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，△t＝(TFG_实际-TFG_理论)/ER，其中，TFG_实际指所述浮栅层的实际厚度值，TFG_目标指所述浮栅层的目标厚度值，ER为所述击穿步刻蚀中刻蚀所述浮栅层的刻蚀速率，△t为所述击穿步刻蚀中刻蚀部分所述浮栅层的时间。3.如权利要求2所述的浮栅的制备方法，其特征在于，TFG_实际≥TFG_目标。4.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述击穿步刻蚀为各向同性刻蚀。5.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，在所述击穿步刻蚀中，还包括刻蚀部分所述第一侧墙。6.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述浮栅刻蚀工艺还包括主刻步刻蚀，在所述击穿步刻蚀之后，通过所述主刻步刻蚀去除剩余的所述浮栅层，保留所述第一侧墙下方的所述浮栅层，以形成所述浮栅。7.如权利要求6所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述主刻步刻蚀为各向异性刻蚀。8.如权利要求6所述的浮栅的制备方法，其特征在于，在所述主刻步刻蚀之后还包括对所述浮栅形状作进一步修正完善的过刻步刻蚀。9.如权利要求8所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述过刻步刻蚀为各向异性刻蚀。10.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述浮栅保护层为二氧化硅层。11.如权利要求10所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层通过所述浮栅层的表面自然氧化形成。12.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述沟槽的形成步骤包括：刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层中形成一开口，所述开口的底部暴露出所述浮栅层；刻蚀所述开口下的部分所述浮栅层，以形成所述沟槽，所述沟槽在所述浮栅层的表面具有一坡面。13.如权利要求12所述的浮栅的制备方法，其特征在于，通过各向同性刻蚀所述开口下的部分所述浮栅层。14.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙的形成步骤包括：沉积一氧化物层，所述氧化物层填充满所述沟槽并覆盖所述掩膜层；刻蚀所述氧化物层，保留所述沟槽的两内侧的氧化物层，以形成所述第一侧墙。15.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，在形成所述第一侧墙之后，去除2CN106384715A权利要求书2/2页所述掩膜层之前还包括以下步骤：以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀去除所述沟槽底部的所述浮栅层；形成第二侧墙，所述第二侧墙形成于所述第一侧墙和浮栅层的侧面，所述第二侧墙的顶部与第一侧墙的底部相连，所述第二侧墙的底部与所述基底的表面相连。16.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，在形成所述浮栅层之前，还包括在所述基底上形成一耦合氧化层。17.如权利要求16所述的浮栅的制备方法，其特征在于，在进行所述浮栅刻蚀工艺之后，还包括刻蚀去除所述耦合氧化层，保留所述第一侧墙下方的耦合氧化层。3CN106384715A说