一种细晶高纯镍靶材制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102864421A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102864421A(43)申请公布日2013.01.09(21)申请号201110186608.4(22)申请日2011.07.05(71)申请人北京有色金属研究总院地址100088北京市西城区新街口外大街2号申请人有研亿金新材料股份有限公司(72)发明人范亮何金江王欣平(74)专利代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司11100代理人刘徐红(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书33页页附图附图22页(54)发明名称一种细晶高纯镍靶材制造方法(57)摘要本发明涉及一种制备细小晶粒高纯镍溅射靶材的制造方法，本发明采用电子轰击炉熔炼，随后在合适工艺条件下进行热机械变形和冷塑性变形处理，再进行热处理，最后进行机加工，得到高性能的细晶高纯镍靶材，其纯度≥99.995%，平均晶粒度≤30um，晶粒大小均匀。CN102864ACN102864421A权利要求书1/1页1.一种细晶高纯镍靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将纯度为99.99%的电解镍板酸洗后进行电子轰击炉熔炼，得到高纯镍铸锭；（2）将高纯镍铸锭在750℃~850℃进行热机械变形处理，采用的热机械变形方式为热轧或锻造，热轧变形量不低于80%，锻造墩拔次数不低于3次，镦粗拔长率不低于50%，空冷；（3）将热机械变形处理之后的高纯镍进行退火，退火温度450℃~550℃，退火时间1~3小时，空冷；（4）将（3）处理后的高纯镍进行冷轧，轧制道次变形率控制在10%~15%之间，总变形率不低于80%；（5）将冷轧之后的高纯镍在450℃~550℃退火1~3小时，空冷，趁热压平；（6）将（5）处理后的高纯镍坯料进行各种机械加工，得到细晶高纯镍靶材。2.根据权利要求1所述的细晶高纯镍靶材的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，熔炼时真空度不低于6×10-2Pa。3.根据权利要求1所述的细晶高纯镍靶材的制备方法，其特征在于：所得的细晶高纯镍靶材的纯度≥99.995%，平均晶粒度≤30um。2CN102864421A说明书1/3页一种细晶高纯镍靶材制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种高纯（纯度>99.995%）均匀细小晶粒的镍靶材的制造方法，属于电子材料、真空薄膜和金属材料加工领域。背景技术[0002]随着科学技术和现代社会的发展，薄膜材料越来越广泛的应用于信息、新能源、电子、平板显示等领域，尤其是随着半导体工艺技术的发展，薄膜材料已经成为现代社会文明不可或缺的重要组成部分，而作为高质量薄膜形成所需要的溅射靶材的质量要求也越来越高，因此制备高质量要求的靶材制备技术变得非常重要。[0003]镍作为一种常用的薄膜材料在几乎所有金属薄膜所应用到的领域均得到了最广泛的应用，在半导体、磁记录，平板显示等领域对薄膜的要求很高，进而对金属靶材也提出了更高的要求。比如要求镍具有很高的纯度，一般要求大于99.99%，而对组织要求晶粒均匀，平均晶粒度一般要求小于40um。这样能够保证得到均匀性非常好的高纯度薄膜，从而保证器件的性能。[0004]而对于现有的技术条件来说，国标牌号的Ni的纯度一般只有99.99%，要想达到更高的纯度变得较为困难，一般只能作为装饰行业或机械行业的镀膜使用，难以作为高端的信息功能材料使用，而当材料纯度越高时，根据金属学原理，要想得到更细晶粒的组织变得越困难，一般晶粒度只能保证<100um，这就难于满足使用条件的要求。[0005]中国专利CN200810031749.7采用真空感应熔炼，随后进行冷轧，再进行退火的工艺可以制备纯度为99.99%，晶粒度为20~30um的镍靶，其工艺方案的真空感应熔炼除去金属中的杂质含量的能力有限，难于进一步提高材料的纯度，更进一步来讲，当材料纯度提高以后，材料的原始晶粒度会成倍增加，类似的冷轧和退火工艺由于纯度更高而缺少细化晶粒的杂质，也更难细化晶粒，采用该类方法很难制备出纯度更高的细晶高纯镍靶材。发明内容[0006]本发明的目的在于提供一种细晶高纯镍靶材制造方法，本发明采用电子轰击炉熔炼，随后在合适工艺条件下进行热机械变形和冷塑性变形处理，再进行热处理，最后进行机加工，得到高性能的细晶高纯镍靶材。[0007]为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：一种细晶高纯镍靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将纯度为99.99%的电解镍板酸洗后进行电子轰击炉熔炼，得到高纯镍铸锭；（2）将高纯镍铸锭在750℃~850℃进行热机械变形处理，采用的热机械变形方式为热轧或锻造，热轧变形量不低于80%，锻造墩拔次数不低于3次，镦粗拔长率不低于50%，空冷；（3）将热机械变形处理之后的高纯镍进行退火，退火温度45